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王启明

作品数：235 被引量：312H指数：9
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程历史地理更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 86篇期刊文章
  • 51篇会议论文
  • 6篇科技成果

领域

  • 121篇电子电信
  • 15篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇石油与天然气...
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇历史地理

主题

  • 31篇硅基
  • 31篇半导体
  • 28篇光电
  • 27篇波导
  • 26篇发光
  • 23篇探测器
  • 18篇衬底
  • 16篇激光
  • 16篇硅
  • 16篇锗
  • 15篇多量子阱
  • 15篇激光器
  • 15篇光子
  • 14篇调谐
  • 14篇滤波器
  • 14篇纳米
  • 12篇晶体
  • 12篇半导体材料
  • 11篇电池
  • 11篇硅衬底

机构

  • 235篇中国科学院
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  • 3篇国家光电子工...
  • 2篇清华大学
  • 2篇集成光电子学...
  • 1篇东北大学
  • 1篇北京大学
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  • 1篇东南大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇空军电讯工程...
  • 1篇南京大学
  • 1篇华侨大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 235篇王启明
  • 107篇成步文
  • 69篇余金中
  • 45篇左玉华
  • 40篇李传波
  • 37篇薛春来
  • 30篇杨沁清
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  • 18篇张建国
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  • 16篇刘智
  • 15篇黄昌俊
  • 14篇李代宗
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  • 13篇王晓欣
  • 11篇郑军
  • 10篇李成

传媒

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  • 5篇第十二届全国...
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  • 3篇物理学报
  • 3篇发光学报
  • 3篇第十二届全国...
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  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇科技导报
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  • 1篇高技术通讯

年份

  • 1篇2020
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  • 7篇2016
  • 5篇2015
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  • 8篇2007
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  • 15篇2005
  • 10篇2004
  • 7篇2003
  • 10篇2002
  • 14篇2001
共 235 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成被引量：4
1998年
本文在国内首先报道采用ＭＯＶＰＥ技术研制成功了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿型量子阱ＤＦＢ激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了３０ｍＷ单纵模工作．采用调制光放大器、静态偏置ＤＦＢ激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲．集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路．
王志杰王圩王启明
关键词：DFB激光器光放大器
溅射外延GeSn/GeSiSn多量子阱材料光电性能研究
郑军张永旺刘智左玉华李传波薛春来成步文王启明
a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光被引量：5
1997年
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ－Ｓｉ和ＳｉＯ２层厚度分别为４ｎｍ和６ｎｍ时，形成了颗粒大小为３．８ｎｍ的硅晶粒．晶化后的样品在１０Ｋ下可以观察到较强的光荧光发射，三个峰值波长分别为８１０、８２５和８４５ｎｍ．
成步文余金中于卓王启明陈坤基黄信凡
关键词：多量子阱晶化光致荧光非晶硅
高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs／GaAs超薄应变层量子阱结构参数被引量：1
1995年
应变超薄层结构的组分、厚度、应变状态的直接检测，对于器件应用具有重要的意义，本文中，利用ＭＯＣＶＤ方法得到高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱材料，采用双晶衍射方法的弱信号收集技术，结合运动学理论模拟，得出同时包含几个不同阱宽的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阶结构的重要参数，其检测结果与光致发光（ＰＬ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）等方法的测试结果基本一致，表明Ｘ射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法．
王小军庄岩王玉田庄婉如王启明黄美纯
关键词：砷化镓量子阱结构
荧光膜在LED中的应用
李乐良郑军左玉华成步文王启明
关键词：稀土白光磁控溅射
硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法
一种硅基高效等电子掺杂发光器件，其中包括：一n－型或p－型硅基衬底；一硅基掺杂层，该硅基掺杂层制作在n－型或p－型硅基衬底上面，该硅基掺杂层是发光器件的有源区；一p－型或n－型重掺硅层，该p－型或n－型重掺硅层制作在硅基...
张建国王晓欣成步文余金中王启明
文献传递
硅基GeSn合金光电探测器
采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最...
薛春来苏少坚汪巍张广泽成步文王启明
关键词：硅基
宽频域的硅基微机械可调谐光滤波器的制作方法
一种宽频域的硅基微机械可调谐光滤波器的制作方法，包括如下步骤：在基片上制作第一电极，并且在电极层中制作电极引线引出孔；在第一电极上制作第一反射镜，是滤波器必备的反射镜之一；在第一反射镜上制作牺牲层，在牺牲层上制作第二反射...
左玉华毛容伟王良臣成步文余金中王启明
文献传递
在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法
本发明提出了一种在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在Si基片上生长Si缓冲层，改善衬底晶体质量；(2)降低生长温度，生长Ge浸润层；(3)中断10～40秒，抽走反应气体；(4)...
时文华李传波王容伟罗丽萍王启明
文献传递
Si_(1-x-y)Ge_xC_y材料的外延生长方法
2000年
本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。
于卓成步文李代宗余金中王启明梁骏吾
关键词：半导体材料锗
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