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王姝睿

作品数：8 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 7篇碳化硅
  • 5篇二极管
  • 5篇6H-SIC
  • 3篇SIC
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体工艺
  • 1篇英文
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇碳化硅器件
  • 1篇界面层
  • 1篇硅器件
  • 1篇高反压
  • 1篇半导体材料

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇王姝睿
  • 7篇刘忠立
  • 2篇尚也淳
  • 2篇徐萍
  • 1篇李晋闽
  • 1篇梁桂荣
  • 1篇马红芝
  • 1篇姚文卿
  • 1篇李国花
  • 1篇王良臣
  • 1篇于芳
  • 1篇高翠华
  • 1篇刘焕章
  • 1篇葛永才

传媒

  • 5篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2003
  • 5篇2001
  • 1篇2000
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管(英文)被引量：3
2001年
在 N型 6 H - Si C外延片上 ,通过热蒸发 ,制作 Ti/ 6 H- Si C肖特基势垒二极管 (SBD) .通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,该肖特基二极管具有较好的整流特性 .反向击穿电压约为 40 0 V,室温下 ,反向电压 VR=2 0 0 V时 ,反向漏电流 JR 低于 1× 10 - 4 A / cm2 .采用 Ne离子注入形成非晶层 ,作为边缘终端 ,二极管的击穿电压增加到约为 80 0 V.
王姝睿刘忠立李国花于芳刘焕章
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管钛
6H-SiC Schottky二极管的正向特性
2003年
提出了一种考虑 Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的 Si C Schottky二极管 ( SBD)正向特性模型 ,势垒的不均匀性来自于 Si C外延层上的各种缺陷 ,而界面层上的压降会使正向 Schottky结的有效势垒增高 .该模型能够对不同温度下 Si C Schottky结正向特性很好地进行模拟 ,模拟结果和测量数据相符 .它更适用于考虑器件温度变化的场合 ,从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系 .
尚也淳刘忠立王姝睿
关键词：界面层二极管6H-SIC
6H-SiC高反压台面pn结二极管被引量：3
2001年
在可商业获得的单晶 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ;并在此 6 H - Si C结构材料上 ,利用反应离子刻蚀和接触合金化技术 ,制作台面 pn结二极管 .详细测量并分析了器件的电学特性 ,测量结果表明此 6 H - Si C二极管在室温、空气介质中 ,- 10 V时 ,漏电流密度为 2 .4× 10 - 8A/cm2 ,在反向电压低于 6 0 0 V及接近30 0℃高温下都具有良好的整流特性 .
王姝睿刘忠立李晋闽王良臣徐萍
关键词：碳化硅PN结二极管6H-SIC
SiC器件工艺的发展状况被引量：1
2000年
碳化硅 (Si C)是一种宽禁带半导体材料 ,适用于制作高压、高功率和高温器件 ,并可工作在从直流到微波频率范围。文章阐述了 Si C材料的性质 ,详细介绍了 Si C器件工艺 (掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触 )的最新进展 ,并指出了存在的问题及发展趋势。
王姝睿刘忠立
关键词：碳化硅器件半导体材料半导体工艺
6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1
2001年
在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .
王姝睿刘忠立徐萍葛永才姚文卿高翠华
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管6H-SIC
SiC Schottky结反向特性的研究被引量：4
2003年
对Ti 6H SiCSchottky结的反向特性进行了测试和理论分析 ,提出了一种综合的包括SiCSchottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿电流模型 ,该模型考虑了Schottky势垒不均匀性、Ti SiC界面层电压降和镜像力对SiCSchottky结反向特性的影响 ,模拟结果和测量值的相符说明了以上所考虑因素是引起SiCSchottky结反向漏电流高于常规计算值的主要原因 .分析结果表明在一般工作条件下SiCSchottky结的反向特性主要是由场发射和热电子场发射电流决定的 .
尚也淳刘忠立王姝睿
关键词：SIC隧穿电流碳化硅
N型6H-SiCMOS电容的电学特性被引量：3
2001年
在可商业获得的 N型 6 H- Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,制备 MOS电容 .详细测量并分析了 6 H- Si C MOS电容的电学特性 ,其有效电荷密度为 4.3× 10 1 0 cm- 2 ;Si C与 Si O2 之间的势垒高度估算为 2 .6 7e V;Si C热生长 Si O2 的本征击穿场强 (用累计失效率 5 0 %时的场强来计算 )为 12 .4MV/ cm ,已达到了制作器件的要求 .
王姝睿刘忠立梁桂荣梁秀芹马红芝
关键词：碳化硅MOS电容电学特性
碳化硅(6H-SiC)器件的研究
该文对SiC的基本器件及制作工艺进行了系统的研究,主要工作有:利用改造的MBE系统,通过化学气相淀积,在6H-SiC衬底上同持飓延生长结构材料,采用传统的半导体工艺设备,制作了SiC高反压台面pn结二极管,并对SiC的欧...
王姝睿
关键词：SIC半导体工艺电学特性
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