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王阳元

作品数：465 被引量：771H指数：13
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 244篇专利
  • 198篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 7篇科技成果

领域

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  • 2篇文化科学
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  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术
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主题

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  • 75篇场效应晶体管
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  • 24篇MOSFET
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  • 21篇集成电路产业
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机构

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  • 1篇中国科学院微...
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  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇北京机械工业...

作者

  • 457篇王阳元
  • 203篇黄如
  • 125篇张兴
  • 63篇黄芊芊
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  • 51篇张大成
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  • 18篇周发龙
  • 18篇蔡一茂

传媒

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年份

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  • 26篇2007
  • 24篇2006
  • 38篇2005
  • 18篇2004
  • 27篇2003
共 465 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法
本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外...
田豫黄如王逸群王润声王阳元
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硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关
本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传...
金玉丰张锦文郝一龙张大成王阳元
文献传递
抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法
本发明公开了一种抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明通过在源区和隧穿结下方的体区之间插入绝缘层，而在源区和沟道之间的隧穿结处不...
黄如黄芊芊吴春蕾王佳鑫王超王阳元
文献传递
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极...
黄如黄英龙蔡一茂王阳元余牧溪
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北京大学国家集成电路人才培养基地建设思路被引量：12
2004年
张兴黄如张天义王阳元
关键词：微电子产业课程体系
多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术
1997年
本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高．由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响．本文给出了补偿注入研究结果和器件特性．
何美华张利春王阳元
关键词：多晶硅发射极晶体管集电区双极晶体管
金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法
本发明提供一种金属栅/高K栅介质的制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：对衬底进行预栅工艺处理，然后利用MOCVD或ALD技术淀积Hf基高K栅介质；在淀积的Hf基高K栅介质层上，利用PVD或CVD方法...
康晋锋刘晓彦张兴韩汝琦王阳元
文献传递
背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
本发明提供了一种自对准的背栅MOS晶体管结构，包括栅电极、侧墙介质层、栅介质层、源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区、沟道区，其源漏区和沟道区掺杂与栅电极相互自对准；源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与栅电极自对准的且对...
张盛东陈文新黄如刘晓彦张兴韩汝琦王阳元
文献传递
一种半导体快闪存储器及其制备方法
本发明提供了一种半导体快闪存储器结构，为一MOS晶体管，其沟道区为一垂直于硅衬底的硅墙；沟道区左右两侧依次纵向排列隧穿介质层、浮栅、阻挡介质层、控制栅；分布在沟道区左右两侧的控制栅、浮栅相互自对准。本发明的快闪存储器的制...
张盛东陈文新黄如刘晓彦张兴韩汝琦王阳元
文献传递
改进的电迁移独立失效元模型
1996年
当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷．本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设，对其进行了一些改进．主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元，并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关．对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实．
李志宏顾页武国英王阳元
关键词：电迁移VLSI互连线
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