苗银萍
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：暨南大学理工学院物理学系更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnMgS多晶薄膜的结构和光学性质被引量：2
- 2006年
- 本文介绍了对真空蒸发制备的多组ZnxMg1-xS多晶薄膜的研究,用X射线能量色散谱仪(EDS)测定几组ZnxMg1-xS薄膜样品的成分后,由原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)测试结果表明:薄膜晶体生长形貌和结晶性良好,为闪锌矿结构;对ZnxMg1-xS薄膜的紫外吸收分析表明,薄膜在345 nm^275 nm处形成陡峭的吸收边,在波长小于275 nm的紫外区有强烈的吸收;光致发光谱中发光中心波长在可见光区紫光范围约为401 nm^395 nm之间。同时随着Mg含量的增加,样品的(111)峰位向大角度方向移动,吸收边和发光峰的蓝移也增加,蓝移说明了带隙的展宽。显示了其作为短波光电器件材料和拓展紫外发光器件的研制领域的潜力。
- 苗银萍孙汪典朱汉明
- 关键词：结构和光学性质多晶薄膜
- Zn_(1-x)Mg_xS薄膜的磁控溅射制备及其性能研究
- 2006年
- 利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出II-VI族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-V is)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质。结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加。蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6 eV增至4.4 eV。较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料。
- 孙汪典苗银萍朱祯
- 关键词：磁控溅射紫外吸收光致发光
- 固溶体半导体ZnMgS多晶薄膜的制备及其性能研究
- ZnS是一种重要的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙半导体材料，室温下其禁带宽度为3.6eV，激子束缚能为40meV，在蓝紫光发光二极管和激光二极管等光电器件方面具有广阔的应用前景。通过引入Mg替代ZnS中的Zn所形成的固溶化合物ZnMg...
- 苗银萍
- 关键词：真空蒸镀晶体结构光学性质
- 文献传递
- Zn_xMg_(1-x)S多晶薄膜的制备及其特性研究
- 2006年
- 采用真空蒸镀技术,在普通石英玻璃衬底上成功制备出固溶体ZnxM g1-xS多晶薄膜。用X射线能量色散谱仪、原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对薄膜晶体成分、表面形貌、结构和光学性质做了分析。结果表明:当x=0.9时,固溶体ZnxM g1-xS晶体形貌生长和结晶性良好,为闪锌矿结构;由于镁成分的掺入,ZnxM g1-xS薄膜的(111)峰位相对于ZnS的(111)峰位向大角度方向移动0.14;°光学吸收边相对于ZnS产生了明显的蓝移,其禁带宽度增加0.19 eV,显示了作为短波光电器件材料和紫外探测材料的应用潜力。
- 苗银萍孙汪典朱汉明
- 关键词：紫外吸收
- 固溶体半导体Zn_(1-x)Mg_xS薄膜性质研究被引量：1
- 2009年
- 以ZnS、Mg粉末为原料,应用双源真空蒸镀法,在石英玻璃衬底上成功地制备了不同Mg含量x的三元固溶体半导体Zn1-xMgxS薄膜。根据薄膜的X射线能量色散谱、X射线衍射谱和紫外-可见吸收光谱,由Vegard定律得到在实验范围内不同Mg含量x的薄膜晶格常数a与x的关系可表达为a(x)=0.53965-0.01415x(nm);薄膜的光学带隙Eg与x的关系可表达为Eg(x)=0.853x2+0.086x+3.662(eV)。
- 朱汉明苗银萍孙汪典
- 关键词：晶格常数光学带隙
- ITO玻璃衬底上生长的Zn_(0.9)Mg_(0.1)S多晶薄膜特性研究
- 2007年
- 以ZnS和Mg粉末为原料,采用真空蒸镀技术在ITO玻璃上成功地制备了宽禁带三元化合物Zn0.9Mg0.1S多晶薄膜。原子力显微镜和X射线衍射研究表明:薄膜生长形貌和结晶性能良好,为择优取向的立方闪锌矿结构,晶粒直径约20nm,薄膜的X射线衍射峰较之ZnS的衍射峰向大角度方向移动了0.46°;室温下的拉曼谱峰相对于ZnS的拉曼谱峰出现蓝移,且347.67 cm-1谱峰比较强;光致发光谱显示,Zn0.9Mg0.1S薄膜在410nm处有一个较强的发光峰。良好的结晶质量和发光特性为开发多功能材料和器件提供了可能性。
- 孙汪典苗银萍
- 关键词：拉曼光谱光致发光
