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范世骥

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：冶金工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程

主题

  • 2篇坩埚下降法
  • 2篇下降法
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇性能表征
  • 1篇熔剂
  • 1篇坩埚下降法生...
  • 1篇炉口
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇静压
  • 1篇高温高压
  • 1篇O3
  • 1篇PBTIO3
  • 1篇PI

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇李振荣
  • 2篇徐卓
  • 2篇范世骥
  • 1篇周明斌
  • 1篇宋克鑫

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种高温高压晶体生长设备
本发明所提供一种高温高压晶体生长设备，尤其是一种能生长大尺寸GaN体单晶的高温高压熔剂-坩埚下降法生长设备。包括吊装装置、底座(6)、压力罐(1)、加热炉(18)、下降装置(5)；吊装装置安装在压力罐(1)外壳的顶部；底...
李振荣周明斌范世骥徐卓
Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3晶体生长与性能表征
采用坩埚下降法生长出尺寸为20×20×35mm3的四方相Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)二元单晶和厚度为20mm、直径为40mm的三方相PIN-PT单晶.利用电子探针显微分析仪(EPMA)分...
宋克鑫李振荣徐卓郭海生范世骥
关键词：坩埚下降法晶体生长性能表征
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共1页<1>
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