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氯霉素在p-PTA／CS-AB／GCE修饰电极上的电化学行为及测定被引量：5: 2016年; 制备了聚磷钨酸／壳聚糖-乙炔黑修饰电极（p-PTA／CS—AB／GCE），采用循环伏安法（CV）研究了氯霉素在该修饰电极上的电化学行为。结果表明，在pH6．0的PBS溶液中，氯霉素（CAP）在该修饰电极上出现1个还原峰，在40—400mV／s扫速范围内，CAP的还原峰电流与扫速呈线性关系，说明CAP在修饰电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程。用差分脉冲伏安法（DPV）对不同浓度的CAP进行检测，在5．0×10^-71．0×10^-4mol／L浓度范围内，还原峰电流与浓度呈线性关系，检出限（S／N=3）为5．13×10^-8mol／L。用该方法对氯霉素片进行检测，相对标准偏差（RSD）为1．4％，回收率为97．7％～105．1％。; 李桂芳何晓英贾晶; 关键词：氯霉素磷钨酸乙炔黑差分脉冲伏安法修饰电极

茶碱在石墨烯／磷钨酸修饰电极上的电化学行为及测定被引量：3: 2013年; 采用滴涂法制备了石墨烯/磷钨酸修饰电极（GO-PTA/GCE），运用循环伏安法研究了茶碱（THEO）在该修饰电极上的电化学行为，并讨论了修饰剂石墨烯和磷钨酸的配比及用量、底液种类及浓度、扫速对其测定的影响。运用交流阻抗法研究修饰前后电极表面的特性。结果表明，在0.02 mol/L H2SO4溶液中，THEO在该修饰电极上于1.185 V出现一不可逆氧化峰，且在100-800 mV/s范围内，其峰电流与扫速平方根（v1/2）呈线性关系，表明该电极过程为受扩散控制的不可逆过程。THEO在该修饰电极上的电子转移数n=1，有效面积A=0.116 9 cm2，扩散系数D =6.675×10-5 cm2/s。在优化实验条件下，采用差分脉冲伏安法对THEO进行定量测定，发现THEO的峰电流与其浓度在6.0×10-7-1.0×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系，检出限可达5.5×10-7 mol/L。采用该法对水样中THEO进行检测，回收率为92.6%-106.3%。; 高渐龙何晓英刘琼燕贾晶; 关键词：茶碱石墨烯磷钨酸差分脉冲伏安法

乙炔黑-离子液体复合修饰电极上阿昔洛韦的电化学行为研究被引量：3: 2014年; 采用乙炔黑（AcetyleneBlack，AB）和离子液体（1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐[BMIM]PF。）作为复合修饰材料，制备乙炔黑-离子液体复合修饰电极（AB-[BMIM]PF。／GCE）。用红外光谱法对AB—EBMIM]PF6／GCE进行表征，用循环伏安法（CV）研究阿昔洛韦（ACV）在该修饰电极上的电化学行为。实验结果表明，在pH=4．70的磷酸盐缓冲液（PBS）中，ACV在该修饰电极上出现一氧化峰。在20～280mV／s扫速范围内，氧化峰电流与扫速平方根呈线性关系，表明该电极过程是受扩散控制。电极过程的部分动力学参数分别为：电极有效面积0．076cm2，转移电子数2，扩散系数1．817×10-4^cm2／s。用方波伏安法（SWV）测定一系列不同浓度的ACV溶液，结果表明其氧化峰电流与ACV浓度在7．0×10-1^～1．0×10-4^mol／L范围内呈良好线性关系，相关系数为0．993，检出限（s／N=3）为2．30×10mol／L，加标回收率为95．0％～105．6％。; 刘琼燕何晓英杨涛贾晶; 关键词：乙炔黑离子液体方波伏安法

壳聚糖/乙炔黑修饰电极上萘酚异构体的电化学行为及同时测定被引量：2: 2014年; 制备了壳聚糖/乙炔黑复合修饰电极（CS-AB/GCE）,采用SEM和交流阻抗法对其进行表征。并利用循环伏安法（CV）研究了萘酚异构体（α-N和β-N）在该修饰电极上的电化学行为,对实验条件进行了优化。结果表明,在p H 7.0的PBS缓冲液中,α-N和β-N在该修饰电极上均出现一不可逆氧化峰,且在20-200m V/s范围内,其峰电流与扫速呈线性关系,表明电极过程是受吸附控制的不可逆过程。计算了电极过程的部分动力学参数,优化了差分脉冲伏安法（DPV）的实验参数,并对α-N和β-N进行同时测定,发现二者的微分氧化峰电流值与其浓度在2.5×10-6-1.0×10-4mol/L范围内呈良好的线性关系（rα-N=0.996;rβ-N=0.998）。α-N和β-N的检出限（S/N=3）分别为3.4×10-7mol/L和2.4×10-7mol/L。采用该法对实际水样进行检测,得到α-N和β-N的加标回收率分别为96.7%-105.1%和98.8%-103.9%。; 贾晶李桂芳刘琼燕何晓英; 关键词：乙炔黑壳聚糖交流阻抗法差分脉冲伏安法

聚L-组氨酸/乙炔黑修饰电极上对乙酰氨基酚的电化学行为及测定被引量：8: 2015年; 制备了聚L-组氨酸/乙炔黑修饰电极（Poly-（L-His）/AB/GCE）,并用交流阻抗法（EIS）对其进行了表征。用循环伏安法（CV）研究了对乙酰氨基酚（PCT）在该修饰电极上的电化学行为。在p H 6.5的B-R溶液中,PCT在该修饰电极上出现一对氧化还原峰,在40~320 m V/s扫速范围内,氧化峰电流（Ipa）及还原峰电流（Ipc）均与扫速V呈线性关系,表明该电极过程受吸附控制。用差分脉冲伏安法（DPV）测定不同浓度的PCT溶液,在8.0×10-7~1.0×10-4mol/L浓度范围内,氧化峰电流Ipa与PCT浓度呈线性关系,检出限（S/N=3）为7.72×10-8mol/L。运用该方法对样品感冒灵颗粒进行了检测,回收率为97.8%~105.2%。; 李桂芳贾晶何晓英; 关键词：乙炔黑 L-组氨酸对乙酰氨基酚差分脉冲伏安法

磷钨酸/乙炔黑修饰电极上的阿昔洛韦电化学行为及其测定: 2013年; 本文制备了磷钨酸/乙炔黑修饰电极(PTA/AB/GCE),用循环伏安法(CV)研究了阿昔洛韦(ACV)在该修饰电极上的循环伏安行为。结果表明在pH 6.0的磷酸盐缓冲液中,ACV在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60～220mV.s-1扫速范围内,其氧化峰电流(Ipa)与扫速平方根(v1/2)呈线性关系,表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算了电极过程的部分动力学参数:电极有效面积为0.06902cm2,转移电子数为2,扩散系数为2.063×10-6cm2.s-1。运用方波溶出伏安法测定不同浓度ACV的方波溶出伏安曲线,结果表明氧化峰电流(Ipa)与ACV浓度在7.8×10-7～1.0×10-4mol.L-1范围内呈良好线性关系(r=0.9924),检出限(S/N=3)为3.1×10-7mol.L-1,加标回收率为95.69%～107.2%。; 刘琼燕何晓英高渐龙贾晶; 关键词：乙炔黑磷钨酸方波溶出伏安法

香兰素在AB/PABSA/GCE修饰电极上的电化学行为及测定被引量：3: 2015年; 采用电聚合和滴涂法制备了乙炔黑/聚对氨基苯磺酸修饰电极（AB/PABSA/GCE）,并用交流阻抗法（EIS）进行了表征,运用循环伏安法（CV）对实验条件进行优化后,研究了香兰素（Van）在AB/PABSA/GCE上的电化学行为.结果表明,在pH 7.0的PBS溶液中,Van在该修饰电极上有1个氧化峰,无还原峰,在40 ～ 300 mV/s扫速范围内,Van氧化峰电流与扫速呈线性关系,说明Van在该电极上的电化学反应过程是受吸附控制的不可逆过程.该反应过程中电子转移数及参加反应的质子数均为2,电极有效面积A =0.065 7cm2,扩散系数D=1.557×10-3 cm2/s,反应物吸附量Γ=2.249×10-8 mol/cm2.采用计时电流法（CA）对不同浓度的Van进行测定,结果发现在5～460 μmol/L浓度范围内,氧化峰电流与浓度呈良好的线性关系（r=-0.998 5）,检出限为2.09×10-7 mol/L.运用该方法对巧克力样品进行了检测,回收率为93.0％～114.2％.; 李桂芳贾晶何晓英; 关键词：乙炔黑对氨基苯磺酸香兰素电聚合计时电流法

乙萘酚在纳米银/壳聚糖-乙炔黑复合修饰电极上的电化学行为及测定被引量：2: 2014年; 制备了纳米银/壳聚糖（AgCS）与乙炔黑（AB）复合修饰电极（AgCS-AB/GCE）,用紫外可见分光光度法、扫描电镜法对AgCS进行表征,用交流阻抗法对不同电极进行表征,用循环伏安法（CV）研究了乙萘酚（β-N）在AgCS-AB/GCE上的循环伏安行为.结果表明,在pH6.5的PBS缓冲液中,β-N在该修饰电极上出现一明显氧化峰,在60～ 240 mV/s扫速范围内,β-N的氧化峰电流（Ipa）与对应扫速平方根（v1/2）呈良好的线性关系,表明β-N在该电极上的电化学过程为受扩散控制的不可逆过程.计算了电极过程的动力学参数,运用方波伏安法测定不同浓度β-N的方波伏安曲线,结果表明β-N的氧化峰电流与其浓度在3.0 ×10-7～ 2.0×10-4 mol/L范围内呈良好线性关系（r=0.996）,检出限（S/N =3）为1.24×10-7 mol/L,加标回收率为99％～105％.; 何晓英刘琼燕贾晶; 关键词：乙炔黑纳米银方波伏安法

萘酚异构体在碳纳米管/铁氰化铜修饰电极上的电化学行为及同时测定: 2015年; 采用滴涂法和电聚合法制备了碳纳米管／铁氰化铜复合修饰电极（MWCNTs—CuHCE／GCE），用交流阻抗法对其进行表征。并利用循环伏安法（CV）研究了萘酚异构体（α-N和／β-N）在该修饰电极上的电化学行为，考察了缓冲液、pH值、修饰剂用量、电聚合圈数及扫描速率对测定的影响。结果表明，在pH7．0的PBS缓冲液中，α—N和β-N的氧化峰得到了较好分离，分别于0．335V和0．505V处出现一不可逆氧化峰，且在40—220mV／s范围内，二者氧化峰电流与扫速（v）呈良好的线性关系，表明电极过程是受吸附控制的不可逆过程。计算了α—N和β-N在该修饰电极上的部分动力学参数。优化了差分脉冲伏安法（DPV）的实验参数，并对α-N和β-N进行了同时测定，发现二者的微分氧化峰电流值与其浓度在0．5—100μmol／L范围内呈良好的线性关系（rα-N=0．992；rβ-N=0．996）。采用该法对实际水样进行检测，α—N和β-N的加标回收率分别为94．2％-105．7％和90．2％～103．3％．; 贾晶李桂芳何晓英; 关键词：碳纳米管交流阻抗法差分脉冲伏安法

聚磷钼酸/乙炔黑修饰电极上乙萘酚的电化学行为及测定: 2013年; 制备了聚磷钼西免／乙炔黑修饰电极（PMA／AB／GCE），用循环伏安法（CV）研究了乙萘酚（EN）在该电极上的循环伏安行为。在pH5．5的HAc—NaAc缓冲液中，EN在该修饰电极上出现一明显的氧化峰。在60—300mV／s扫速范围内，其氧化峰电流（IPa）与扫速平方根（v1/2）呈线性关系，表明该电极过程是受扩散控制的不可逆过程。计算电极过程的部分动力学参数：电极有效面积为0．122cm2，质子数与电子数均为l，扩散系数为D为9．64×10^-5cm2／s。运用方波伏安法测定不同浓度EN的方波伏安曲线，结果表明氧化峰电流与EN浓度在9．0×10～-1．0×10-mol／L范围内呈良好线性关系（r=0．992），检出限（S／N=3）为6．35×10^-7mol／L，加标回收率为92．8％-102．8％。; 刘琼燕何晓英高渐龙贾晶; 关键词：乙炔黑磷钼酸方波伏安法

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