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文献类型

  • 2篇中文科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇VDMOS器...
  • 1篇低压
  • 1篇电流
  • 1篇多晶
  • 1篇中低压
  • 1篇分立器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇P型
  • 1篇VDMOS
  • 1篇大电流

机构

  • 2篇华越微电子有...

作者

  • 2篇郦霞
  • 2篇余庆
  • 1篇杨振
  • 1篇潘国刚
  • 1篇何火军
  • 1篇张月中
  • 1篇张晓新

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
中低压大电流VDMOS器件
何火军余庆廖洪志张晓新张月中朱优莉朱国夫杨振江秉润潘国刚秦永星蔡远飞赵铝虎郦霞鄢细根马洁荪
简要技术说明该项目产品中,50N06采用外延自掺杂技术,具有导通电阻低,输出电流大特点;20N50采用第二代SPACE新工艺,平底阱结构以及浅P+结构,改善了EAS能力,降低了导通电阻,提高了元胞集成度;9N90采用JF...
关键词:
关键词:分立器件半导体器件
P型VDMOS产品开发
鄢细根余庆王怀良魏琪陆定强陈铃胡鹏飞王建平王思彬晏晓林郦霞莫冠萍
该项目主要内容为P型VDMOS器件工艺技术的研究,开发系列产品,使产品性能和芯片合格率达到约定指标,并实现规模量产。 主要研究内容一是P型VDMOS的VTH稳定性,二是如何在现有的版图上实现500V左右的高压要求。该技术...
关键词:
关键词:VDMOS器件
共1页<1>
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