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金鑫
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
供职机构:
南京工业大学理学院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电气工程
理学
一般工业技术
化学工程
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合作作者
顾大伟
南京工业大学理学院
沈临江
南京工业大学理学院
王新生
南京工业大学理学院
袁丕方
南京工业大学理学院
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机构
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南京工业大学
作者
3篇
王新生
3篇
沈临江
3篇
顾大伟
3篇
金鑫
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袁丕方
传媒
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科技资讯
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2006北京...
年份
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2007
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2006
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高压条件下聚吡咯薄膜的生长
在高压条件下(300MPa),采用化学氧化原位聚合法在清洁的石英基片上制备得到了均匀导电的聚吡咯(PPy)薄膜。利用原子力显微镜测量和分析了PPy 薄膜的表面形貌和厚度,确立了300MPa反应条件下PPy薄膜的生长曲线。...
顾大伟
袁丕方
金鑫
王新生
沈临江
关键词:
聚吡咯
原位聚合
文献传递
聚苯胺/纳米ZrO_2复合材料电容的制备及性能研究
被引量:3
2008年
本文用化学法合成出一种新的聚苯胺/纳米ZrO2复合材料,并以此为电极制备电容器,测试结果表明,新材料制备的电容器有较好的性能。
金鑫
王新生
顾大伟
沈临江
关键词:
聚苯胺
电容
高压条件下聚吡咯薄膜的生长
在高压条件下(300MPa),采用化学氧化原位聚合法在清洁的石英基片上制备得到了均匀导电的聚吡咯(PPy)薄膜.利用原子力显微镜测量和分析了PPy薄膜的表面形貌和厚度,确立了300MPa反应条件下PPy薄膜的生长曲线.实...
顾大伟
袁丕方
金鑫
王新生
沈临江
关键词:
原位聚合法
薄膜生长
文献传递
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