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钱佩信: 作品数：104 被引量：119H指数：6; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

Si(Ge)MOSFET器件微结构的研究: 1997年; 采用横断面的透射电子显微术、扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能有效地被限制在工作区两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＩＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬度，它可能是在分子束外延（ＭＢＥ）方法生长ＧｅＳｉ层时所引入的位错环，Ｓｉ细晶层是由无择优取向的、柱状生长的细晶粒组成；; 刘安生安生邵贝羚王敬付军栾洪发钱佩信; 关键词：MOSFET 微结构多层膜电子显微术

微波低噪声SiGe HBT的研制被引量：6: 2000年; 利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6d B,1 GHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .9d B,相关功率增益为 9d B。; 钱伟张进书贾宏勇林惠旺钱佩信; 关键词：低噪声锗化硅 HBT 晶体管

Epitaxy of SiGe HBT Structure by High Vacuum/Rapid Thermal Processing/Chemical Vapor Deposition: 2001年; The strained SiGe material has been grown by using the newly developed High Vacuum/Rapid Thermal Processing/Chemical Vapor Deposition (HV/RTP/CVD) system.Device quality material is grown by handling process after careful design. The Ge fraction varies up to 0 25, and the n and p type doping is well controlled,which are both adapted to the fabrication of Heterojunction Bipolar Transistors (HBT). The SiGe HBT structure, namely n Si/i p + i SiGe/n Si structure, has been investigated, with which, the HBTs are fabricated and show good performance. The new system has been proved potential and practicable.; 贾宏勇林惠旺陈培毅钱佩信; 关键词：CVD SIGE HBT

SOI晶体质量分析技术: 1993年; 本文评述了腐蚀金相技术、物理化学技术和电学测试技术等晶体质量分析手段,研究了这些方法在SOI晶膜检测中的应用,对于SOI质量鉴定和SOI工艺评价具有实用价值。; 张鹏飞钱佩信; 关键词：半导体材料 SOI 晶体质量

截止频率为22GHz的梳状结构SiGe HBT研究: 介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8...; 雒睿张伟李高庆周卫徐阳蒋志李希有付玉霞钱佩信; 关键词：锗硅异质结双极晶体管

适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散...; 付军张伟严利人王玉东许平蒋志钱佩信; 文献传递

UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性: 2004年; 　采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。; 黄文韬陈长春刘志农邓宁刘志弘陈培毅钱佩信; 关键词：UHV/CVD 快速热退火

离子注入间接诱导的高驰豫锗硅: 应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底...; 许向东郭福隆周卫张兆健鲁勇张伟刘志弘钱佩信; 关键词：超高真空化学气相沉积离子注入; 文献传递

用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究被引量：1: 2004年; 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显影响 ,在 70 0℃下生长的 Si外延层的过渡区厚度为 0 .16 μm,而在 5 0 0℃下仅为 0 .0 6 μm,且杂质分布非常陡峭 .X射线双晶衍射分析表明在 70 0℃下生长的 Si外延层的质量很高 .制作的锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)的击穿特性很硬 ,击穿电压为 14 .5 V,在 VCB=14 .0 V下的漏电流仅为 0 .3μA;输出特性很好 ,在 VCE=5 V,IC=3m A时的放大倍数为 6; 黄文韬陈长春李希有沈冠豪张伟刘志弘陈培毅钱佩信; 关键词：UHV/CVD 硅外延 SIGE HBT

激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究被引量：2: 1996年; 本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速率等因素有关，并受到工艺稳定性的影响；利用激光单条扫描定域再结晶技术已获得１２μｍ宽度、芯片长度的能用以制作高性能ＭＯＳ－ＦＥＴ的ＳＯＩ单晶条。; 王红卫杨景铭钱佩信; 关键词：集成电路 SOI 激光再结晶