颜莉莉
- 作品数：5 被引量：27H指数：2
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院高分子材料系更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金上海市教委科研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 准一维纳米结构ZnO的制备研究进展被引量：1
- 2005年
- 准一维纳米结构ZnO因其优良的光电性质，在制作纳米电子器件和纳米光电子器件等许多领域表现出巨大的应用潜力。对准一维纳米结构ZnO在衬底上的制备生长方法、性质及衬底的影响作了简要的叙述。
- 颜莉莉贺英
- 关键词：ZNO衬底
- 离子络合法制备ZnO纳米线被引量：7
- 2005年
- 通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应 ,将络合溶液涂膜在单晶硅片上 ,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线。用场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征 ,结果表明ZnO纳米线直径约 6 0～ 80nm、长度约 1～ 2 μm ,单晶 ,为六方晶系 ,且沿c轴方向优先生长。
- 颜莉莉贺英支华军桑文斌
- 关键词：高聚物锌盐六方晶系纳米线场发射
- 采用高分子自组装ZnO纳米线及其形成机理被引量：19
- 2005年
- 介绍了一种能在各种晶面的硅衬底上制备垂直于衬底取向生长的ZnO纳米线阵列的新方法.该法采用高分子络合和低温氧化烧结反应,以聚乙烯醇(PVA)高分子材料作为自组装络合载体来控制晶体成核和生长.首先通过PVA侧链上均匀分布的极性基团羟基(—OH)与锌盐溶液中的Zn2+离子发生络合作用,然后滴加氨水调节络合溶液pH值为8.5±0.1,使络离子Zn2+转变为Zn(OH)2,再将硅片浸入此溶液中,从而在硅衬底表面得到较均匀的Zn(OH)2纳米点,随后在125℃左右Zn(OH)2纳米点通过热分解转化为ZnO纳米点,其后在420℃烧结过程中衬底上的ZnO纳米点在PVA高分子网络骨架对其直径的限域下逐渐取向生长成ZnO纳米线,并且烧结初期PVA碳化形成的碳通过碳热还原ZnO为Zn,再在氧气氛中氧化为ZnO的方式在纳米线顶端形成了催化活性点,促进了纳米线顶端ZnO的吸收.烧结后碳逐渐氧化被完全去除.采用场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM,HR-TEM)和X射线衍射(XRD)对纳米线的分析结果表明,ZnO纳米线在硅衬底上分布均匀,具有六方纤锌矿结构,并且大多沿[0001]方向择优取向生长,直径为20～80nm,长度可从0.5至几微米.提出了聚合物控制ZnO结晶和形貌的网络骨架限域模型以解释纳米线的生长行为.
- 贺英王均安桑文斌吴若峰颜莉莉方云英
- 关键词：分子自组装ZN^2+溶液PH值纤锌矿结构络合作用
- 硅衬底上氧化锌纳米线的自组装生长及其光致发光性能
- 本文介绍了一种在硅衬底上自组装生长ZnO纳米线的方法,新方法以高分子材料作为自组装络合载体,采用离子络合转换方法和聚合物网络骨架限域模型,制备出生长在硅衬底上的ZnO纳米线晶体。对ZnO纳米线结构和光致发光性能进行了分析...
- 贺英桑文斌王均安吴若峰支华军颜莉莉方云英
- 关键词：ZNO纳米线自组装光致发光
- 氧化锌纳米线的制备工艺及光学性能研究
- 氧化锌是一种重要的宽禁带隙(3.37eV)半导体材料，它的激子束缚能高达60meV，因此ZnO是室温或更高温度下具有很大应用潜力的短波长发光材料，在紫外激光发射等光电应用领域有着很高的应用价值，而一维纳米结构的ZnO因其...
- 颜莉莉
- 关键词：氧化锌纳米线光致发光半导体材料光电性能
- 文献传递
