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高江: 作品数：11 被引量：7H指数：1; 供职机构：南昌大学更多>>; 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>

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一种突变结晶硅太阳电池的制备方法: 一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜，并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素；采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜，保证体硅太阳电池的均匀性；采用快速热退火处...; 黄海宾周浪龚洪勇张东华汪已琳高江

α-SiO_x∶H钝化Cz-Si表面的工艺优化与机制分析被引量：4: 2014年; 氢化非晶氧化硅(α-SiOx∶H)是一种优质的硅片表面钝化材料。采用PECVD法,以SiH4、CO2和H2作为气源制备α-SiOx∶H薄膜钝化Cz-Si表面,研究了沉积气压和CO2∶SiH4流量比对钝化效果的影响规律及作用机制。采用准稳态光电导法测试了硅片的有效少子寿命并依此计算出其表面复合速率以对薄膜的钝化效果进行定量表征,采用光谱型椭偏仪测试了样品的介电常数虚部ε2谱对样品微观结构进行了定性分析。结果表明,(1)在所研究范围内,氧掺入非晶硅薄膜使得薄膜结构趋向非晶化,沉积气压主要对薄膜中的空位浓度造成影响,而CO2/SiH4流量比的增加可增加薄膜中的H含量并改变了硅氢键的结构,从而影响薄膜的钝化效果;(2)在CO2/SiH4流量比为3.0/3.0mL/min,沉积气压为22Pa条件下获得了最优钝化效果,钝化后硅片有效少子寿命为975μs,表面复合速率为3.9cm/s。; 黄海宾张东华汪已琳龚洪勇高江Wolfgang R.Fahrner周浪; 关键词：PECVD 氢含量

用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法: 本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。其制备方法是：先低温气相沉积法沉积一层掺杂非...; 黄海宾周浪崔冶青高江; 文献传递

一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构: 一种晶硅异质结太阳电池的发射极结构，它为双层梯度掺杂浓度的非晶硅薄膜（a-Si:H）构成的发射极结构，以重掺杂p-a-Si:H层/浅掺杂p-a-Si:H层或重掺杂n-a-Si:H层/浅掺杂n-a-Si:H层的复合结构作为...; 黄海宾周浪高江; 文献传递

一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法: 本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法，其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节...; 黄海宾周浪高江崔冶青; 文献传递

低速率沉积非晶硅薄膜钝化Cz-Si片的研究被引量：1: 2015年; 采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。; 龚洪勇黄海宾高江周浪; 关键词：氢化非晶硅 PECVD 钝化

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究被引量：1: 2013年; 研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。; 龚洪勇周浪黄海宾向昱任汪已琳张东华高江崔冶青; 关键词：氢化非晶硅

双层发射极结构的晶硅异质结太阳电池的设计与制备: 以日本Panasonic公司HIT太阳电池为代表的晶硅异质结太阳电池是目前光伏技术的研究热点之一。很多研究机构都致力于其工艺优化和新结构的研究。近日,日本Panasonic公司汲取背接触太阳电池结构的优点制备了新型HIT...; 高江; 文献传递

一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法: 本发明提供了一种太阳能电池用的图形化掺杂晶硅薄膜制备方法，其特征是先利用低温气相沉积技术制备图形化的掺杂非晶硅或微晶硅薄膜，然后利用快速热处理方法获得图形化的掺杂晶硅薄膜。本发明可获得更加丰富的图形式样、可更加方便的调节...; 黄海宾周浪高江崔冶青; 文献传递

一种突变结晶硅太阳电池的制备方法: 一种突变结晶硅太阳电池的制备方法，采用CVD的方法在晶体硅片上低温外延制备晶硅薄膜，并采用快速热退火的工艺激活掺杂元素；采用热丝CVD或等离子辅助CVD可实现大面积均匀沉积薄膜，保证体硅太阳电池的均匀性；采用快速热退火处...; 黄海宾周浪龚洪勇张东华汪已琳高江; 文献传递