您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 1篇电路
  • 1篇电热
  • 1篇电热耦合
  • 1篇匹配电路
  • 1篇热模型
  • 1篇解析模型
  • 1篇晶体管模型
  • 1篇宽带匹配
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇功率放大器设...
  • 1篇放大器
  • 1篇放大器设计
  • 1篇复合晶体管
  • 1篇HBT
  • 1篇KINK效应
  • 1篇LDMOSF...
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇东南大学
  • 3篇苏州大学
  • 2篇苏州工业园区...
  • 1篇南京大学

作者

  • 3篇高怀
  • 3篇严唯敏
  • 1篇胡善文
  • 1篇王钟
  • 1篇吴浩东
  • 1篇孙晓红
  • 1篇滑育楠
  • 1篇张晓东
  • 1篇程华

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇南京大学学报...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
一种具有电阻-电容补偿网络的宽带输出匹配电路被引量:2
2010年
本文提出了一种带有电阻-电容(RC)补偿网络的宽带共集电极输出匹配电路.此输出匹配电路包含两个部分:一是带有两个电阻的射级分压器,并在与地相接的电阻上并联电容;二是在其输出端增加一段传输线和电容,构成低品质因素的宽带阻抗转换器.一般情况下,随着工作频率的升高,简单共集电极放大器的输出阻抗逐渐增大并呈现电感特性,该特性不易于输出匹配电路的设计.本文提出的RC补偿网络补偿了简单共集电极放大器输出阻抗的电感特性,使其在工作频带内近似为恒定值,从而在输出端获得了良好的宽带匹配.采用该宽带共集电极输出匹配电路作为输出级设计了一款宽带放大器,通过计算机仿真验证了其在带宽范围内具有良好的输出阻抗匹配特性.基于2μmInGaP/GaAs异质结双极型晶体管半导体工艺,该宽带放大器成功流片,通过测试验证了其在30kHz~23GHz频率范围内获得了良好的带宽增益和输出匹配,小信号增益S21保持在7.5dB以上,输出反射系数S22保持在-10dB以下.
王钟严唯敏张晓东吴浩东高怀
LDMOSFET电热耦合解析模型
2010年
建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。
孙晓红戴文华严唯敏陈强高怀
关键词:解析模型晶体管模型热模型
5~12GHz新型复合管宽带功率放大器设计被引量:2
2010年
利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器,有效抑制了HBT的大信号Kink效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11dB,带内波动<0.5dB,在9GHz工作频率时,其1dB压缩点处的输出功率为26dBm。
程华严唯敏滑育楠胡善文高怀
关键词:宽带匹配KINK效应GAASHBT复合晶体管
共1页<1>
聚类工具0