井源源
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 晶体面缺陷对FeS_2薄膜电学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用Fe膜热硫化技术制备了具有不同比表面积和比晶界面积的FeS_2薄膜,并测定其载流子浓度和电阻率,研究了FeS_2薄膜表面和晶界等面缺陷对FeS_2薄膜电学性能的影响．结果表明,表面和品界两种面缺陷对FeS_2薄膜的电学性能有类似的影响规律．在一定范围内,随着薄膜比表面积和比晶界面积的增大,载流子浓度提高而电阻率下降．面缺陷数量的变化可导致FeS_2晶体中点缺陷数量、禁带中缺陷能级密度、不充分相变产物比例和相变应力水平的变化,从而导致载流子浓度和电阻率的变化．
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：无机非金属材料晶体缺陷载流子浓度电阻率
- 多晶FeS_2薄膜电学性能的研究与进展被引量：1
- 2006年
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 多晶FeS2薄膜电学性能研究
- 金属硫化物在太阳能电池、热电材料以及存储装置等领域显示出了广阔的应用前景。其中采用人工合成方法制备的FeS2薄膜具有高的光吸收系数(λ<700 nm时,α>5×105 cm-1)、合适的禁带宽度（Eg=0.95 eV）以...
- 井源源
- 关键词：FES2薄膜电学性能载流子浓度电阻率
- 文献传递
- 多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展
- FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺...
- 井源源刘艳辉孟亮
- 关键词：FES2薄膜电学性能工艺参数晶体缺陷
- 文献传递
