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何媛

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低功耗
  • 1篇隧穿
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇解析模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇功耗

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇何媛

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于环栅纳米线隧穿场效应晶体管的解析模型
2014年
对环栅纳米线结构的隧穿场效应晶体管进行建模分析,给出电流解析模型,证明隧穿场效应管有良好的亚阈特性。研究发现,环栅纳米线隧穿场效应管的亚阈值斜率SS的大小与圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox以及漏电压Vdd的变化规律均成正比,即圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox和漏电压Vdd越小,亚阈区的性能越好。这一模型的研究为场效应晶体管在低功耗电路中的应用打下良好基础。
何媛王骏成魏康亮刘晓彦
关键词：解析模型低功耗
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共1页<1>
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