何秀坤
- 作品数：21 被引量：24H指数：3
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- GC-MS法测定水溶性树脂漆中的甲醛含量
- 2008年
- 本文建立水溶性树脂漆中甲醛含量的衍生气相色谱-质谱联用技术测量方法。方法的检出限小于5μg/L,回收率为90%-110%,相对标准偏差小于5%。
- 李静何秀坤那顺蔺娴
- 关键词：气相色谱-质谱联用技术甲醛
- GC—MS法测定液态松香助焊剂中邻苯二甲酸酯类物质
- 2010年
- 本文研究的GC-MS法测定液态松香助焊剂中邻苯二甲酸酯类物质,具有灵敏度高、准确、简便等特点。方法的检出限DBP、DEHP、DNOP均小于0.1mg/L,BBP小于0.3mg/L,回收率均大于85%,相对标准偏差均小于5%。
- 李静那顺何秀坤
- 关键词：邻苯二甲酸酯
- 硅中磷杂质的SIMS定量检测被引量：4
- 2010年
- 利用SIMS(二次离子质谱仪)测试了国产重掺砷硅单晶中的痕量杂质磷,通过样品前期处理和精密的仪器调试,使检测时间缩短,并使硅中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明,样品的前期处理工艺会对检测结果产生影响。不同处理工艺得到的样品,在表面粗糙度方面产生区别。不同的表面粗糙度,影响到样品的测试时间和测试精度。同时,通过仪器调试,仪器的真空度达到1×10-10torr,使测试背底和检测限降低。
- 陈密惠何秀坤马农农曹全喜
- 关键词：SIMS
- 重掺砷硅单晶中痕量磷杂质的SIMS检测
- 利用SIMS（二次离子质谱仪）对硅晶体中痕量杂质磷的定量测量进行了系统的研究，硅晶体中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明，样品的前期处理工艺对检测结果产生一定的影响。不同表面化学处理工艺获得的样品，其表面粗...
- 陈密惠何秀坤马农农何友琴
- 关键词：表面处理表面粗糙度单晶硅
- 文献传递
- 砷化镓材料的质量优化和相关参数的直接测量
- 何秀坤汝琼娜李光平李静苑进良
- 砷化镓单晶是高速集成电路微波器件和光电器件的重要衬底材料。其中绝缘特性主要取决于C和EL2的补偿特性。该成果从改进材料的C和EL2含量及其分布的红外吸收光谱入手，结合热处理工艺和轻掺CR两项工艺措施，达到质量优化的目的；...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓
- 半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究被引量：1
- 2009年
- 与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算。
- 秦涛何秀坤董彦辉李劼
- 关键词：电阻率电容器
- 用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷
- 2009年
- 用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。
- 李劼章安辉何秀坤曹全喜秦涛
- 关键词：微管SIC计数
- 砷化镓材料相关特征参数的无损直接测量方法和轻掺铬复合补偿特性的研究
- 何秀坤汝琼娜李光平丁丽苑进良李静
- 该成果主要用于表征大规模集成电路用的SI-GAAS材料的内在质量，可提供半导体在线工艺过程中实际使用的薄GAAS晶片中C和EL2浓度及其径向分布的参数，为进行GAAS材料的质量优化及材料与器件性能的关系研究提供了有力手段...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓集成电路
- GaN薄膜发光特性的研究被引量：1
- 2005年
- 通过扫描电子显微镜和室温光荧光谱仪研究了生长气氛、缓冲层厚度、掺杂浓度不同对GaN薄膜发光特性的影响。实验证明,缓冲层可以较好地改善外延膜的结构和表面形貌。n型GaN薄膜的光荧光谱图显示,主峰的积分强度随着掺硅浓度的增高而增高,黄带峰的发光强度反而下降。
- 李静冯倩何秀坤汝琼娜周智慧
- 关键词：扫描电子显微镜缓冲层掺杂
- 硅单晶电阻率测定方法
- 本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻...
- 李静何秀坤张继荣段曙光
- 关键词：电阻率晶体硅半导体材料半导体
- 文献传递
