余学锋
- 作品数：84 被引量：174H指数：9
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金中国科学院院长基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术核科学技术理学更多>>
- 退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响被引量：4
- 1993年
- 比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。
- 张国强余学锋高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：电离辐射退火MOSFET
- 双极器件不同剂量率的辐射效应和退火特性
- 本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的...
- 陆妩任迪远余学锋郭旗艾尔肯
- 关键词：双极晶体管双极运算放大器
- 文献传递
- CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性被引量：7
- 1997年
- 对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。
- 陆妩郭旗余学锋张国强任迪远严荣良
- 关键词：CMOS运算放大器总剂量退火
- 含N薄栅介质的电离辐照及退火特性
- 对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中N的引入,能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产生,减少初始固定正电荷和界面态,减小辐照后界面陷阱的退火速率.用一定模型解释...
- 张国强陆妩余学锋郭旗任迪远严荣良
- 关键词：栅介质电离辐照界面态氧化物电荷
- 文献传递
- HCl掺入量对MOSFET电离辐照特性的影响
- 分析研究了干氧栅氧化期间．固定HCl流入时间改变流量和固定HCl流量改变流入时间两种方式制作的PMOSFET60Coγ电离辐照响应特性．结果表明．HCl的掺入方式决定栅介质中HCl的引入量．影响辐射损伤特性的至关因素是栅...
- 严荣良张国强余学锋任迪远陆妩赵元富胡浴红
- 关键词：PMOSFET界面态阈电压
- 文献传递
- 注F CC4007电路的电子和X射线辐照效应
- 分析研究了用注F工艺制作的CC4007电路电子和X射线辐照响应结果。实验表明,把适量的F注引入栅介质,能明显抑制辐射所引起的PMOSFET阈电压负向漂移和NMOSFET阈电压的正向回漂及静态漏电流的增加。Ⅰ—Ⅴ特性表明,...
- 张国强郭旗艾尔肯余学锋陆妩范隆任迪远严荣良
- 关键词：X射线辐照
- 文献传递
- 栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响
- 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电高辐照响应特征。并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较,探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因。结果显示,氢氧合成工艺之所以比干氧工艺损伤明显,...
- 陆妩郭旗任迪远余学锋张国强严荣良王明刚胡浴红赵文魁
- 关键词：跨导界面态电离辐照
- 文献传递
- SOS-CMOS电路的电离辐照响应特性被引量：4
- 1997年
- 本文通过对ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路４０８２进行不同偏置条件下的电离辐照实验，研究了电离辐照环境中引起ＳＯＳ－ＣＭＯＳ门电路失效的几种重要漏电机制，探讨了ＳＯＳ－ＣＭＯＳ电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。
- 余学锋任迪远陆妩郭旗严荣良
- 关键词：电离辐照漏电流集成电路
- 含F栅介质的Fowler-Nordheim效应被引量：3
- 1998年
- 本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应力损伤的特性，对Ｆ离子和高场应力作用机制进行了讨论．
- 张国强严荣良余学锋高剑侠任迪远
- 关键词：大规模集成电路栅介质
- 54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究
- 2003年
- 本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。
- 艾尔肯严荣良余学锋郭旗陆妩任迪远苏秀娣
- 关键词：卫星电子系统
