侯通贤
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 互连宽度对铜互连应力可靠性的影响
- 2010年
- 基于Cu的随动强化模型,用二维有限元分析方法,模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现,当互连尺寸减小到一定宽度后,静水应力先减小,后略有增加;随线宽的减小,等效塑性应变的最大值逐渐减小,塑性应变最大值的位置由Cu互连上界面处转向Cu互连上界面边角处,而发生等效塑性应变的区域先减小后增加。讨论了在不同Cu互连结构条件下,应力状态和塑性应变对Cu互连可靠性的影响。
- 侯通贤林晓玲姚若河
- 关键词：铜互连热应力可靠性
- 铜互连的热应力特性研究
- 基于铜的随动强化模型，使用三维有限元方法研究了铜互连的应力特性。模拟结果表明，使用low-k电介质比起Ox/low-k来，降低了Cu/通孔中的静水张应力，但增加了通孔及其周围区域的应力梯度和塑性变形。刚性沟道蚀刻停止层的...
- Hou Tongxian侯通贤Lin Xiaoling林晓玲Yao Ruohe姚若河
- 关键词：微电子器件铜互连线有限元分析
- 伪通孔对铜互连应力诱生空洞的影响
- 2010年
- 基于铜的随动强化模型,使用三维有限元方法,分析在窄-宽线铜互连结构中添加伪通孔对互连应力诱生空洞的影响。对宽互连M1分别为无伪通孔、中间添加伪通孔、右侧边沿添加伪通孔和添加双伪通孔结构进行了研究。结果表明,添加伪通孔不但可以降低通孔底部互连M1区域的空洞生长速率,而且使伪通孔正下面的互连M1成为额外的空位收集器,从而有效地提高互连应力诱生空洞性能,双伪通孔可进一步增强应力诱生空洞性能。
- 侯通贤姚若河林晓玲
- 关键词：铜互连
- IC中铜互连的热应力可靠性研究
- 当集成电路(IC)工艺特征尺寸到达65nm节点及以下时,铜金属成为集成电路主导的互连材料。在Cu互连系统中,与热应力有关的应力诱生空洞(SIV)或者应力迁移(SM)为影响互连可靠性的主要问题。本文基于Cu的随动强化弹--...
- 侯通贤
- 关键词：铜互连有限元分析热应力
- 文献传递
- 铜互连的热应力特性研究
- 基于铜的随动强化模型,使用三维有限元方法研究了铜互连的应力特性。模拟结果表明,使用low-k电介质比起Ox/low-k来,降低了Cu/通孔中的静水张应力,但增加了通孔及其周围区域的应力梯度和塑性变形。刚性沟道蚀刻停止层的...
- 侯通贤林晓玲姚若河
- 关键词：铜互连有限元分析
- 化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析被引量：3
- 2011年
- 探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。
- 林晓玲刘建章晓文侯通贤姚若河
- 关键词：化学机械抛光CU互连
- 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1
- 2011年
- 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.
- 林晓玲侯通贤章晓文姚若河
- 关键词：工艺波动
