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傅秀峰

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇电阻
  • 6篇SUB
  • 4篇铜互连
  • 4篇微电子
  • 4篇互连
  • 4篇存储器
  • 3篇存储介质
  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇选择性刻蚀
  • 2篇氧化物
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法氧化
  • 2篇铜化合物
  • 2篇羟胺
  • 2篇金属
  • 2篇金属氧化物
  • 2篇刻蚀
  • 2篇化合物
  • 2篇集成电路

机构

  • 9篇复旦大学

作者

  • 9篇傅秀峰
  • 8篇林殷茵
  • 8篇陈邦明
  • 4篇尹明
  • 4篇吕杭炳
  • 4篇唐立
  • 2篇李莹

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以Cu<Sub>x</Sub>O存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以Cu<Sub>x</Sub>...
林殷茵陈邦明唐立吕杭炳尹明傅秀峰
文献传递
一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法。其步骤为：以Cu<Sub>x</Sub>O存储介质上方形成的铜化合物介质层作为掩膜，或者以Cu<Sub>x</Sub>...
林殷茵陈邦明唐立吕杭炳尹明傅秀峰
文献传递
用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；...
林殷茵陈邦明李莹傅秀峰
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非挥发SRAM单元、阵列及其操作方法和应用
本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用。该非挥发SRAM以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管SRAM、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；...
林殷茵陈邦明李莹傅秀峰
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以Cu<Sub>x</Sub>O为存储介质的RRAM的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种以Cu<Sub>x</Sub>O作为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以Cu<Sub>x</Sub>O作为存储介质的RRAM过程中，在存储...
林殷茵傅秀峰陈邦明
文献传递
一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的Cu<Sub>x</Sub>O用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(1...
林殷茵傅秀峰陈邦明吕杭炳唐立尹明
文献传递
以Cu<Sub>x</Sub>O为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法
本发明属于微电子技术领域，具体为一种以Cu<Sub>x</Sub>O作为存储介质的RRAM避免forming现象的制备方法，本发明方法是在按常规工艺制备以Cu<Sub>x</Sub>O作为存储介质的RRAM过程中，在存储...
林殷茵傅秀峰陈邦明
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新型电阻式存储器的制备与性能研究
存储器在半导体市场中占有重要的地位，仅DRAM(DynamicRandomAccessMemory)和FIASH两种就占市场的15％，随着便携式电子设备的不断普及，不挥发存储器市场也越来越大。然而传统的不挥发存储器的尺寸...
傅秀峰
关键词：氧化亚铜氧化钨
一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法
本发明属微电子技术领域，具体是一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的湿法氧化制备方法以及与铜互联工艺的集成方法。该存储器中，作为存储介质的Cu<Sub>x</Sub>O用湿法氧化方法制备，具体步骤为用一定浓度(1...
林殷茵傅秀峰陈邦明吕杭炳唐立尹明
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