刘军芳
- 作品数：52 被引量：22H指数：3
- 供职机构：同济大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 自带熔体搅拌功能的晶体生长装置
- 本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比，本发明在传统坩...
- 王庆国罗平徐军吴锋唐慧丽刘军芳赵衡煜刘斌薛艳艳王东海
- 文献传递
- 蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法
- 一种蓝宝石基氮化物芯片的减薄划片方法，包括下列步骤：成对地将蓝宝石基氮化物芯片贴成氮化物芯片夹心饼；将氮化物芯片夹心饼送入铂金坩埚并置于或悬于铂金丝上，在该坩埚内，放置带气孔的γ－LiAlO<Sub>2</Sub>和Li...
- 徐军彭观良周圣明周国清蒋成勇王海丽李抒智赵广军张俊计刘军芳邹军王银珍吴锋庄漪
- 文献传递
- Bi_2O_3-SiO_2玻璃及玻璃陶瓷近红外发光性能的研究被引量：3
- 2014年
- 采用高温熔融法制备了Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷,测试了样品的近红外光区及可见光区的发射谱、激发谱及荧光寿命。在808 nm波长光的激发下,Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷中均发现了近红外发光。当Bi2O3含量较低时(30mol%、40mol%、50mol%),发光中心位于1336 nm(或1300 nm),为宽带发光;随Bi2O3含量的增加,1070 nm左右出现了窄带近红外发光峰,且逐渐成为最强发光峰,与此同时,1336 nm(或1300 nm)的宽带发光转变为窄带发光。1336 nm(或1300 nm)与1070 nm发射峰的荧光寿命及激发谱均存在较大的区别,初步分析认为这两个发射峰归属于不同的发光中心,1336 nm(或1300 nm)发射峰源于低价态Bi离子。
- 刘军芳苏良碧徐军
- 关键词：近红外发光玻璃陶瓷
- 气相平衡扩散法制备β-BBO薄膜被引量：1
- 2005年
- 用气相平衡扩散(VTE)法在α-偏硼酸钡单晶衬底上成功地制备出β-偏硼酸钡薄膜。使用X射线衍射技术(XRD)测试了样品的衍射峰,并比较了不同温度、不同保温时间、不同衬底方向对薄膜的影响。
- 李利民刘军芳杨秋红周国清徐军
- β-BBO/α-BBO复合非线性光学材料的制备及性能研究
- β-BBO晶体是一种新型的非线性光学材料，尤其是应用在紫外波段，具有较大的应用市场。近年来，随着激光技术向集成化、小型化方向发展，特别是飞秒激光技术领域中，为了克服因晶体厚度带来的基频光与倍频光之间群速度失配的问题以及脉...
- 刘军芳
- 关键词：液相外延脉冲激光沉积非线性光学材料飞秒激光
- 文献传递
- 铋离子自激活-GeO2玻璃的制备及其近红外发光性能的研究
- 自激活离子的近红外发光材料的研究集中在玻璃和少数单晶中，只有掺Bi 的光纤有激光输出的报道。对Bi 红外宽带发光的机理没有确定的解释。本文采用高温熔融法制备了Bi2O3-GeO2 波咯，测定了样品玻璃的近红外发光以及可见...
- 李纳刘军芳唐慧丽徐军吴锋赵衡煜刘斌郭超施饺饺
- 关键词：近红外发光
- 同时生长多种掺杂CaF<Sub>2</Sub>晶体的装置及基于该装置的制备方法
- 本发明涉及同时生长多种掺杂CaF<Sub>2</Sub>晶体的装置及基于该装置的制备方法，装置包括托盘、保温筒、感应线圈、由下而上依次设置在保温筒中的底部保温层、坩埚、生长模具单元、籽晶以及籽晶杆，籽晶固定在籽晶杆底端，...
- 王庆国徐军罗平吴锋唐慧丽刘军芳刘斌王东海
- 文献传递
- 液相外延法制备β-BBO薄膜被引量：1
- 2007年
- 采用液相外延法在掺Sr^(2+)的α-BBO(001)村底上制备了β-BBO薄膜,研究了制备条件对薄膜质量的影响.结果表明:当生长温度为810℃时,转速为300r/min生长的外延膜具有较高的结晶质量,且随着生长时间的延长,外延膜的结晶质量有所提高.β-BBO薄膜呈c轴高度择优取向,薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽值FWHM仅为676.6″,表明β-BBO薄膜较好的结晶质量;在不具备相位匹配的条件下,β-BBO外延膜也能够实现二次谐波输出.
- 刘军芳徐军姚武
- 关键词：无机非金属材料液相外延
- 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
- 一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β－BBO陶瓷靶材或β－BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α－BBO单晶衬底上形成一层β－BBO/α－BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的...
- 周国清刘军芳徐军何晓明夏长泰
- 文献传递
- Gd^(3+)/Y^(3+)共掺对Nd:CaF_2晶体光谱性能的影响被引量：2
- 2016年
- 通过坩埚下降法生长了系列共掺Nd,Gd:CaF_2和Nd,Y:CaF_2晶体,研究了Gd^(3+)/Y^(3+)共掺对Nd^(3+)光谱性能以及Nd:CaF_2晶体晶胞参数的影响规律.对于0.5 at.%Nd,x at.%Gd(x=2,5,8,10):CaF_2系列晶体,当调控Gd^(3+)掺杂浓度为2 at.%时,具有最大的荧光寿命499μs;当Gd^(3+)掺杂浓度为5 at.%时,具有最大的吸收截面1.47×10^(-20)cm^2,最大的发射截面1.9×10^(-20)cm^2;当Gd^(3+)掺杂浓度为8 at.%时,具有最佳的发射带宽29.03 nm.对于0.6 at.%Nd,x at.%Y(x=2,5,8,10):CaF_2系列晶体,Y^(3+)掺杂浓度为5 at.%时,有最大的吸收截面2.41×10^(-20)cm^2,最大的发射截面3.17×10^(-20)cm^2;当Y^(3+)掺杂浓度为10 at.%时,具有最长的荧光寿命359.4μs,并且具有最大发射带宽26 nm.
- 刘坚刘军芳苏良碧张倩马凤凯姜大朋徐军
- 关键词：晶胞参数光谱性能
