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刘志钢

作品数：6 被引量：5H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇电子发射
  • 3篇多孔硅
  • 2篇冷阴极
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇点缺陷
  • 1篇电子结构
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多孔
  • 1篇全分布式
  • 1篇子结构
  • 1篇完全分布式
  • 1篇网络
  • 1篇网络计算
  • 1篇网络计算模型
  • 1篇硅表面
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇非晶硅

机构

  • 6篇南开大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇刘志钢
  • 4篇孙钟林
  • 3篇薛俊明
  • 2篇赵颖
  • 1篇杨愚鲁
  • 1篇裴巍
  • 1篇张景春
  • 1篇王宁娟
  • 1篇李涛
  • 1篇赵宏
  • 1篇吴春亚
  • 1篇周伟
  • 1篇于洋
  • 1篇何凯
  • 1篇赵精龙
  • 1篇陈宇明
  • 1篇李桂华

传媒

  • 2篇光电子．激光
  • 1篇电子学报
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2000
  • 2篇1999
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
单晶硅中铒点缺陷及Er-O复合缺陷电子结构的EHMO计算被引量：1
1999年
本文采用集团模型和推广的Ｈüｃｋｅｌ分子轨道理论（ＥＨＭＯ）计算了ｃ－Ｓｉ中Ｅｒ点缺陷及Ｅｒ－Ｏ复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果。
薛俊明刘志钢孙钟林赵颖吴春亚李桂华周伟
关键词：铒
a-SiCx∶H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索
2000年
本文提出在宽带隙的a SiCx∶H或 β SiC中共掺铒和氧以实现铒的 1 5 4μm光发射。用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了 β SiC中Er缺陷的电子结构 ,并在实验上实现了Er在a SiCx∶H中的 1 5 4μm光致发光(77K) .结果表明 ,β SiC或a SiCx :H有可能是实现Er的 1 5
薛俊明孙钟林刘志钢周伟
关键词：Β-SIC发光
基于节点自治的完全分布式网络计算模型
杨愚鲁刘志钢何凯于洋李涛赵宏裴巍陈宇明张景春赵精龙
本课题重点研究网络结构的分布式特性，充分考虑网络上各种资源的动态特性，建立一个完全不需要对网络资源进行全局映射的、基于节点自治的完全分布式网络计算模型。该模型采用完全分布的体系结构，所有节点地位相等，功能相同，各自管理自...
关键词：
关键词：分布式网络计算模型
多孔硅冷阴极电子发射的研究
基于单晶硅衬底上形成的多孔硅(PS)二极管冷阴极电子发射研究了几种平面结构冷阴极.PS二极管由薄金膜/PS层/n型Si衬底/欧姆接触铝背电极组成. 基于PS层中的强电场效应,研究了电子冷发射机理,电子冷发射的基本模型如下...
刘志钢
关键词：多孔硅多晶硅非晶硅冷阴极
文献传递
多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究被引量：3
2000年
在多孔硅 (PS)表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此 ,器件电子发射效率显著提高 ,在32 .5 V偏压下 ,发射效率达 13.5 % ,发射电流密度 2 9μA/ cm2 ;工作电流和发射电流的波动性明显减小 ;器件稳定性得到提高。
刘志钢薛俊明王宁娟任立儒孙钟林张丽珠
关键词：多孔硅冷阴极电子发射
多孔硅表面冷电子发射的研究被引量：1
1999年
本文研究了多孔硅（ＰＳ） 二极管表面发射电子的特性。ＰＳ二极管由薄金膜、ＰＳ层、ｎ 型Ｓｉ 衬底和欧姆接触铝背电极组成。在真空中，当在金电极和铝背电极间加适当高的正电压且在收集极板和金电极间存在高外电场时，伴随着可见光，电子均匀地穿过金膜发射出来。电子发射的机理基于ＰＳ层外表面附近的强场效应。在１３－５Ｖ 时得到最大发射电流密度为１０μＡ·ｃｍ － ２ ，最大发射效率为２ ×１０ － ４ 。样品的ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ（ＦＮ） 曲线表现为线性。实验结果暗示有大量的电子直接隧穿或通过界面处电子从Ｓｉ 纳米核的价带向相邻Ｓｉ 纳米核的导带隧穿后被发射向真空。
刘志钢任立儒赵颖孙钟林
关键词：多孔硅二极管
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