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宁静

作品数：130 被引量：6H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：陕西省自然科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 119篇专利
  • 7篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 28篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇哲学宗教
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 60篇石墨
  • 60篇石墨烯
  • 33篇氮化镓
  • 24篇退火
  • 21篇氮化
  • 21篇衬底
  • 19篇氮化铝
  • 16篇氮化镓薄膜
  • 13篇二极管
  • 12篇肖特基
  • 12篇溅射
  • 12篇过渡层
  • 12篇磁控
  • 12篇磁控溅射
  • 11篇电极
  • 11篇淀积
  • 10篇电学
  • 10篇圆片
  • 9篇退火温度
  • 9篇CVD

机构

  • 130篇西安电子科技...
  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 130篇宁静
  • 114篇郝跃
  • 113篇张进成
  • 81篇王东
  • 36篇闫景东
  • 36篇柴正
  • 21篇马佩军
  • 16篇陈智斌
  • 14篇许晟瑞
  • 13篇林志宇
  • 11篇张弛
  • 10篇张涛
  • 10篇张燕妮
  • 10篇庞凯
  • 9篇张金风
  • 9篇陆芹
  • 6篇戴显英
  • 6篇张鹤鸣
  • 4篇王琳
  • 4篇陈大正

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 18篇2022
  • 9篇2021
  • 17篇2020
  • 8篇2019
  • 13篇2018
  • 5篇2017
  • 17篇2016
  • 10篇2015
  • 6篇2014
  • 17篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2002
共 130 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于AlN埋绝缘层的晶圆级单轴应变SOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的单轴应变SOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)SOI晶圆顶层Si层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在SOI晶圆两端，距SOI晶圆边缘1cm；3)缓...
戴显英宁静吉瑶邓文洪刘颖郑若川张鹤鸣郝跃
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阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法
本发明涉及一种阳极金属晶向一致的低开启电压GaN二极管及制备方法，本发明的GaN二极管包括：自下而上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上设置有阴极；AlGaN沟道层和AlGa...
宁静张弛张进成王博宇王东马佩军郝跃
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基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化...
张进成庞凯陈智斌吕佳骐朱家铎许晟瑞林志宇宁静张金风郝跃
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基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法
本发明公开了一种基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备黑磷过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(...
张进成朱家铎陈智斌庞凯吕佳骐许晟瑞林志宇宁静张金郝跃
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3D纳米多孔金属材料的制备方法
本发明公开了一种3D纳米多孔金属材料的制备方法，主要解决现有技术制备的金属或合金孔径尺寸大、比表面积低、孔隙率低和难以块体化的问题，其实现方案是：1)对泡沫型金属/合金基底进行清洗活化预处理；2)在预处理后的泡沫型金属/...
宁静冯欣王东张进成钟瑞霞吕宝琴郝跃
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一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
柴正王东宁静韩砀闫景东张进成郝跃
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基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于机械弯曲台的单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3...
戴显英王琳张鹤鸣董洁琼文耀民查冬宁静郝跃
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一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN势垒层的肖特基二极管及其制备方法，此肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层和钝化层；阳极凹槽，设置于所述缓冲层的上表面，且位于所述缓冲层、所述插入...
赵胜雷朱丹张进成陈大正王中旭刘志宏宁静郝跃
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基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法
本发明涉及一种基于石墨烯插入层结构的氮化镓生长方法，该方法包括如下步骤：(1)在α面的蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；(2)通过金属衬底上石墨烯的转移技术，将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上；(3)对覆盖石墨烯的基板进行...
张进成许新鹏陈智斌宁静王东郝跃
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六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法
本发明涉及一种六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长至少一层六方氮化硼层；步骤3：将六方氮化硼层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在六方...
宁静武海迪张进成赵江林白玲王东马佩军郝跃
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