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宋文强

作品数：6 被引量：8H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇导电类型
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电阻
  • 2篇源区
  • 2篇静电释放
  • 2篇寄生
  • 2篇寄生电容
  • 2篇二极管
  • 2篇保护器件
  • 2篇NPN
  • 2篇ESD保护
  • 2篇LDMOS
  • 2篇触发二极管
  • 2篇改进型
  • 1篇电路
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇闩锁

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇宋文强
  • 4篇刘志伟
  • 2篇熊宣淋
  • 2篇刘继芝
  • 2篇侯伶俐

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS-SCR器件
本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS‑SCR器件；本发明通过在第一种导电类型深阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、并且将该重掺杂区与相邻的多晶硅栅用金属线连接，...
刘志伟姜桂军宋文强刘继芝
一种优化ESD防护性能的DCSCR器件
本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改...
刘志伟王同宇熊宣淋侯伶俐杜飞波宋文强韩傲然张钰鑫李洁翎
一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS-SCR器件
本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS‑SCR器件；本发明通过在第一种导电类型深阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、并且将该重掺杂区与相邻的多晶硅栅用金属线连接，...
刘志伟姜桂军宋文强刘继芝
文献传递
一种优化ESD防护性能的DCSCR器件
本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改...
刘志伟王同宇熊宣淋侯伶俐杜飞波宋文强韩傲然张钰鑫李洁翎
文献传递
12位RISC计算器设计
计算器是一个典型的大规模数字集成电路，它是一个完整的数字系统，在其内部集成了大量的数字电路模块，如算术逻辑单元ALU，控制系统各模块，显示驱动模块等，它将所有的实现其功能的模块集中在了一块芯片上，构成了一个微处理器系统，...
宋文强
关键词：计算器驱动电路控制系统
集成电路ESD静电防护设计及闩锁免疫研究
随着集成电路工艺的进步，CMOS集成电路规模不断缩小以在同一区域封装更多的晶体管来提高运行速度和性能，栅极氧化物尺寸也被缩小以增加晶体管的电流密度，这使得集成电路芯片愈发脆弱，ESD静电放电造成的电子产品失效日渐显著，严...
宋文强
关键词：集成电路闩锁效应
文献传递
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