尹利君
- 作品数：40 被引量：23H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信化学工程经济管理更多>>
- 高温晶体生长装置
- 本发明公开了一种高温晶体生长装置，从上至下依次包括坩埚、保温层、子晶杆，坩埚、子晶杆都与保温层之间相互接触良好，使坩埚的热量通过保温层传递给子晶杆，所述保温层与子晶杆之间还包括由耐高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温...
- 范志达李楠陈刚福华北左金才李跃苍珊尹利君王忠何庭秋
- 文献传递
- 水热法合成ZnO单晶生长工艺研究
- 采用水热温差法进行ZnO晶体的生长研究,分析在不同温度压力和矿化剂条件下分别合成几十纳米ZnO晶体和径向尺寸和高度到毫米级的ZnO晶体的生长工艺,探讨了晶体不同晶面生长速度和质量的一般规律及晶体生长机制。
- 尹利君王晓刚周南浩余明清张联盟
- 关键词：ZNO晶体
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- 人造水晶高压釜防爆片泄压缓冲装置
- 本发明公开了一种人造水晶高压釜防爆片泄压缓冲装置，包括通过螺纹连接的测压杆与夹持器底座，以及被测压杆与夹持器底座夹紧的中间具有泄压通孔的爆破片密封垫，所述爆破片密封垫的泄压通孔的孔径小于夹持器底座的爆破通道的直径。本发明...
- 华大辰李法荟孙志文王晓刚张绍锋王晓东张璇尹利君王忠何庭秋
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- 掺杂钕的钇铝石榴石透明陶瓷制造方法
- 本发明公开了一种掺杂钕的钇铝石榴石透明陶瓷制造方法，包括：将铝源化合物、钇源化合物、钕源化合物及硫酸盐溶液混合后加入到碳酸氢铵水溶液中，经陈化、过滤、洗涤得到Nd:YAG前驱体，将前驱体煅烧、粉碎得到原料粉末；将原料粉末...
- 汪志华李祯雷牧云闻芳宋庆海石景富尹利君王忠何庭秋
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- 一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法
- 本发明公开了一种适于制作PPKTP器件的KTP晶体生长方法，包括步骤：A)制作长X向片状籽晶：从可获得的X向最长的KTP原晶坯料中沿XZ平面切割籽晶片，在X向最长位置垂直于Z向加工一XY平面，然后在该XY平面沿X方向的中...
- 沈德忠黄朝恩师瑞泽胡永岚肖亚波王国影高山虎葛世艳苏贞珍尹利君王忠何庭秋
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- ZnO晶体的功能梯度分析被引量：2
- 2006年
- 分析n-ZnO薄膜和硼掺杂p型金刚石薄膜在{111}面金刚石衬底上制作n-ZnO/p-金刚石p-n异质结的应用,ZnO体晶微观结构和缺陷分布及电阻、载流子浓度、迁移率分布特征,探讨了应用功能梯度材料理论研究ZnO晶体材料的方法。从而提出应系统地建立ZnO晶体内部组成和结构的梯度分布特性数据库,从不同的应用角度来进行ZnO晶体材料设计和研究。
- 尹利君孙志文王晓刚余明清张联盟
- 关键词：功能梯度材料氧化锌薄膜
- 氟化锂晶体的研究进展被引量：4
- 2010年
- 随着真空紫外光学技术的发展,在深紫外波段透过率最高、截止波段最短的氟化锂晶体重新引起人们的关注。本文结合LiF晶体本身的物理化学性质,综述了氟化锂原料制备工艺、晶体生长方法的研究进展及存在的问题。以提高氟化锂光学元件质量为出发点,总结了原料纯化、晶体生长、加工工艺对光学元件质量的影响和有效的解决措施。
- 范志达王强涛尹利君陈刚刘景和李春何庭秋
- 关键词：光学元件晶体生长
- 制作压电器件氧化锌单晶的评述(英文)被引量：1
- 2006年
- 氧化锌材料制作压电器件已经有很长的研究历史,自从Robert F.Service在1997年报道氧化锌可以在短波长范围实现蓝光输出后,氧化锌单晶在质量和体积方面取得了很大的研究进展。通过对比分析20世纪60年代以来氧化锌单晶压电特性的研究结果,指出迄今为止制作压电器件的氧化锌单晶仍然需要继续优化。
- 尹利君李法荟王晓刚余明清张联盟
- 关键词：ZNO单晶生长压电器件
- 人造水晶高压釜防爆片泄压缓冲装置
- 本发明公开了一种人造水晶高压釜防爆片泄压缓冲装置，包括通过螺纹连接的测压杆与夹持器底座，以及被测压杆与夹持器底座夹紧的中间具有泄压通孔的爆破片密封垫，所述爆破片密封垫的泄压通孔的孔径小于夹持器底座的爆破通道的直径。本发明...
- 华大辰王晓刚孙志文李法荟张绍锋王晓东张璇尹利君王忠何庭秋
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- 高质量氧化锌晶体的水热法合成及其光电性能研究
- 本文研究水热自发结晶的生长条件对ZnO晶体形貌和质量的影响，研制用于生长较大尺寸晶体的防腐高压釜，研究水热有籽晶生长的条件对ZnO晶体质量的影响，比较两者的生长习性和生长机理，结合ZnO晶体-c面和+c面退火前后性能的研...
- 尹利君
- 关键词：水热法ZNO晶体籽晶高压釜光电性能
- 文献传递
