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尹彬

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇光电
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇共掺
  • 2篇ZNO
  • 2篇BN
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇代码
  • 1篇电特性
  • 1篇氧化锌
  • 1篇以太
  • 1篇以太网
  • 1篇热氧化
  • 1篇主站
  • 1篇总线
  • 1篇系统开发
  • 1篇现场总线
  • 1篇工业以太
  • 1篇工业以太网

机构

  • 4篇哈尔滨工业大...

作者

  • 4篇尹彬
  • 2篇魏亚东
  • 2篇隋郁
  • 2篇王先杰
  • 2篇姜永远
  • 2篇王月飞
  • 2篇李炳生

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于EtherCAT协议的工业以太网主站系统开发
计算机和通信技术为代表的信息产业迅猛发展,使得现场总线技术在工业控制领域当中作为主导的数据通信总线。但是,随着硬件条件的提升以及设备的智能化增强,传统的现场总线的速率已经不能满足大规模数据传输的需求。厂商为了自己的利益最...
尹彬
关键词:工业以太网现场总线
文献传递
热氧化氮化锌制备p型氧化锌及其光电特性的研究
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙氧化物半导体,在室温下的带隙宽度为3.374 eV,并且其激子束缚能高达60 meV,是实现高温激子型紫外光电子器件的重要材料。因此ZnO被认为是继GaN之后制备紫外发光二极管和紫外激光器等光...
尹彬
关键词:磁控溅射光电特性氧化锌
磁控溅射方法制备(B,N)共掺ZnO薄膜及其光电特性研究
ZnO 是一种 II-VI 族直接带隙半导体,其室温下的带隙宽度为 3.37 eV,激子束缚能高达 60 meV.ZnO与 GaN 相近的带隙,并且其激子束缚能要远远高于GaN.因此,它被认为是继 GaN 之后制备紫外发...
尹彬王月飞魏亚东姜永远王先杰隋郁沈爱东李炳生
关键词:ZNO
磁控溅射方法制备(B,N)共掺ZnO薄膜及其光电特性研究
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,其室温下的带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO与GaN相近的带隙,并且其激子束缚能要远远高于GaN。因此,它被认为是继GaN之后制备紫外发光二极管(LEDs)和...
尹彬王月飞魏亚东姜永远王先杰隋郁沈爱东李炳生
关键词:ZNO
文献传递
共1页<1>
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