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廖奇为

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇异质结
  • 2篇砷化镓
  • 2篇晶格
  • 2篇超晶格
  • 1篇导体
  • 1篇散射
  • 1篇砷化铝
  • 1篇体应变
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀速率
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇XGA
  • 1篇AL

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇廖奇为
  • 2篇朱家廉
  • 2篇林世鸣
  • 2篇高俊华
  • 1篇林兰英
  • 1篇陈涌海
  • 1篇梁基本
  • 1篇武术
  • 1篇渠波
  • 1篇王春艳
  • 1篇康学军
  • 1篇邓晖
  • 1篇王占国
  • 1篇王红杰
  • 1篇王启明
  • 1篇陆建祖
  • 1篇杨斌
  • 1篇陈弘达
  • 1篇刘文楷

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1990
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：5
2001年
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究被引量：1
1997年
本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．
康学军林世鸣高俊华廖奇为朱家廉王红杰张春晖王启明
GaAs／AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究被引量：3
1995年
本文采用三角阱近似，计算了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）电子只占据基态子带时，由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质、合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、２ＤＥＧ浓度、本底电离杂质沈度、以及界面不平整度等的关系．理论计算结果与实验符合很好．就作者所知考虑上述七种散射机制计算２ＤＥＧ电子迁移率的工作，以前未见报道．
杨斌陈涌海王占国梁基本廖奇为林兰英
关键词：砷化镓二维电子气散射
半导体应变异质结构外延生长及其界面应力效应
廖奇为
关键词：半导体异质结超晶格
超晶格提高ＭＢＥ ＧａＡｓ／ＧａＰ异质结质量的研究
廖奇为王春艳
关键词：超晶格半导体异质结砷化镓分子束外延
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