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张祖新

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氧化硅
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇非晶
  • 1篇吸收谱
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收谱
  • 1篇复合膜
  • 1篇SIO
  • 1篇GEO

机构

  • 2篇武汉大学
  • 1篇山东大学
  • 1篇山东师范大学

作者

  • 2篇张文炳
  • 2篇张祖新
  • 2篇李伟

传媒

  • 2篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低温衬底的射频反应溅射法制备a-SiO_2薄膜的研究
1999年
低温衬底使器件在制膜过程中避免热伤害． 研究得到强水冷衬底的射频反应溅射法制备ａ－ＳｉＯ２ 薄膜的最佳工艺条件． 所制得的薄膜具有好的致密度和抗腐蚀性．
张祖新李伟张文炳
关键词：非晶二氧化硅
非晶GeO_2-SiO_2复合薄膜的制备及其红外吸收谱被引量：1
2000年
采用锗－硅复合靶射频反应溅射技术，制备了ＧｅＯ_２含量ｘ＝０％～８１％的非晶ＧｅＯ_２－ＳｉＯ_２复合薄膜．用自动椭偏仪进行测量，得到复合氧化物薄膜中ＧｅＯ_２的含量．用傅里叶变换红外光谱仪测得此种薄膜的红外吸收谱随ＧｅＯ_２含量的变化关系，并讨论了其结构特征．
张祖新李伟张文炳
关键词：非晶二氧化硅复合膜
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共1页<1>
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