张静
- 作品数：80 被引量：51H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 混合晶向硅衬底的制造方法
- 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO<Sub>2</Sub>做为掩蔽层，不需做SPAC...
- 崔伟谭开州张静徐世六张正璠杨永晖陈光炳徐学良王斌陈俊梁涛
- 文献传递
- 横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。
- 高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良
- 关键词：HBTSIGE
- SiGe/Si异质结双极晶体管研究被引量：8
- 2000年
- 介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。
- 李开成刘道广张静易强
- 关键词：分子束外延异质结双极晶体管
- (100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型
- 2016年
- 利用应变技术和沟道晶向工程技术,均可有效增强Si基金属氧化物半导体器件的性能.本文提出了(100)Si p型金属氧化物半导体(PMOS)[110]晶向电导率有效质量双椭球模型,从理论上解释了Si PMOS[100]晶向沟道空穴迁移率为[110]晶向沟道空穴迁移率1.15倍的原因.基于(100)Si基应变PMOS反型层E-k关系,拓展应用该模型,首先获得了(100)Si基应变PMOS反型层价带第一子带等能图,然后给出了(100)Si基应变PMOS器件反型层[110]晶向空穴电导率有效质量模型.本文的模型方案合理可行,可为Si基应变PMOS器件的研究与设计提供有价值的参考.
- 宋建军包文涛张静唐昭焕谭开洲崔伟胡辉勇张鹤鸣
- 基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究被引量：3
- 2005年
- 采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.
- 刘道广郝跃徐世六李开成刘玉奎刘嵘侃张静胡辉勇李培咸张晓菊徐学良
- 关键词：自对准最高振荡频率
- 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
- 2005年
- 采用干 /湿法腐蚀相结合技术 ,利用氢氧化钾 (KOH)溶液和六氟化硫 (SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀 ,研究自对准Si/SiGeHBT台面器件 ,获得了fT=4 0GHz ,fmax=12 7
- 刘道广郝跃徐世六李开成李培咸张晓菊张金凤郑雪峰张静刘嵘侃刘伦才
- 关键词：自对准SIGE材料
- SiGe-半导体材料的新生力量
- SiGe材料就是在Si中引入适量的Ge形成SiGe合金。用SiGe合金作晶体管的基区，由于Ge的引入，使基区能带变窄，从而大大提高了发射区电子的注入效率。本文分别探讨了SiGe的优势、制备技术、材料技术的发展趋势及器件、...
- 张静
- 关键词：SIGE材料半导体材料
- 文献传递
- 一种深槽半导体光探测结构及其制造方法
- 本发明公开了一种深槽半导体光探测结构及其制造方法，其中，所述深槽半导体光探测结构包括半导体材料，所述半导体材料为第一导电杂质类型，在所述半导体材料的上表面向下开设欧姆接触掺杂区和多个深槽，所述欧姆接触掺杂区为具有第一导电...
- 谭开洲崔伟张霞张静陈仙唐昭焕吴雪张培健
- 文献传递
- 一种应变Si沟道PMOS器件
- 本发明涉及一种半导体MOS器件，特别是一种应变Si沟道PMOS器件。本发明的技术方案在于该PMOS器件的从下到上的结构为：Si单晶衬底——本征Si缓冲层——本征低温Si层——N型驰豫SiGe层——应变Si层——SiO<S...
- 张静谭开洲徐婉静李竞春杨谟华
- 文献传递
- 应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET(英文)
- 2004年
- 在利用分子束外延方法制备 Si Ge p MOSFET中引入了低温 Si技术 .通过在 Si缓冲层和 Si Ge层之间加入低温 Si层 ,提高了 Si Ge层的弛豫度 .当 Ge主分为 2 0 %时 ,利用低温 Si技术生长的弛豫 Si1 - x Gex 层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至 4 0 0 nm以内 ,AFM测试表明其表面均方粗糙度 (RMS)小于 1.0 2 nm.器件测试表明 ,与相同制备过程的体硅 p MOSFET相比 ,空穴迁移率最大提高了 2 5 % .
- 梅丁蕾杨谟华李竞春于奇张静徐婉静谭开洲
- 关键词：锗硅弛豫
