徐艳梅
- 作品数：12 被引量：22H指数：2
- 供职机构：华北电力大学数理学院数理系更多>>
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- 相关领域：电气工程理学动力工程及工程热物理自动化与计算机技术更多>>
- 镶嵌纳米晶硅的氧化硅薄膜微观结构调整及其光吸收特性被引量：3
- 2016年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术在不同N_2O流量条件下制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜,利用透射电镜(TEM),X射线衍射分析(XRD),傅里叶变换红外(FTIR)和透射光谱技术研究了薄膜中的氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、薄膜键合结构和光吸收特性的影响。结果表明,薄膜由nc-Si粒子和非晶SiOx组成,为混合相结构。nc-Si的生长与氧化反应的竞争决定了薄膜微观结构、键合特性以及光吸收特性。随着N_2O流量的增加,薄膜的晶粒尺寸逐渐减小。晶界区过渡晶硅的比例减少,晶粒界面随之消失,带隙呈持续增加趋势。该实验结果为ncSi/SiOx薄膜在新型太阳电池中的应用提供了基础数据。
- 梅艳贾曦安彩虹完继光徐艳梅
- 关键词：红外光谱氧化硅
- 一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置
- 本发明提供一种用于生成纳米晶硅薄膜的装置，所述装置包括射频阴极、匹配网络、射频源、进气口、排气口、样品、下电极、绝缘支柱、热电偶测温测加热系统、脉冲偏压源、腔体、废气处理系统、总流量控制器、分子泵和机械泵。其中，腔体为金...
- 徐艳梅张贵银王永杰赵占龙
- 文献传递
- 一种稳定的类钙钛矿宽光谱发光材料及其制备方法
- 本发明利用四价Sn的稳定态直接合成有机无机杂化的锡基类钙钛矿材，该发光材料的化学表达式为R<Sub>2</Sub>SnM<Sub>6</Sub>，其中R为有机胺阳离子，M为卤素I、Br或Cl。此技术以四价锡卤化物为基质材...
- 徐艳梅李松涛吕刚
- 文献传递
- 一种全桥逆变电路激光器驱动电路
- 一种全桥逆变电路激光器驱动电路，包括输入端，正输入端分别连接到电容C1的一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT1和IGBT3的集电极，负输入端vin‑分别连接到电容C1另外一端以及绝缘栅型场效应晶体管IGBT2和IGBT4...
- 任芝徐艳梅
- 文献传递
- 一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法
- 本发明提供一种PECVD沉积氢化纳米晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤和生长步骤等。本发明通过调节脉冲偏压参数来控制纳米晶硅成核，降低了纳米晶硅薄...
- 徐艳梅张贵银王永杰赵占龙
- 文献传递
- 一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法
- 本发明提供一种制备nc-Si/SiOx薄膜MIS结构器件的方法，所述方法包括：样品制备步骤、样品准备步骤、抽真空步骤、通气步骤、射频发生步骤、加偏压步骤、薄膜生长步骤等。本发明通过加衬底负偏压控制等离子体的能量和离子流密...
- 徐艳梅张贵银赵占龙王永杰
- 文献传递
- 光子晶体光纤激光器
- 一种波长可调谐光子晶体光纤激光器，其特征在于：作为增益介质的光子晶体光纤内设置有多种不同周期结构的二维光子晶体结构，在每一种周期结构的二维光子晶体结构中具有一个能够导光的缺陷位，并且在每个缺陷位处掺杂有与该缺陷位所能传导...
- 任芝李松涛徐艳梅
- 文献传递
- 富硅氧化硅薄膜低温沉积和微观结构调整
- 2016年
- 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术通过改变N_2O流量低温制备不同微观结构的镶嵌纳米晶硅的富硅氧化硅(nc-Si/SiO_x)薄膜,利用傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和Raman光谱技术研究薄膜中氢含量和氧含量变化及其对薄膜晶化度、纳米晶硅粒子大小、薄膜混合相比例的影响。实验表明,随着N_2O比例增加,由于逐渐增强的氧化反应阻碍了纳米晶硅的生长,导致晶硅比例减少和非晶成分增加,同时薄膜晶化度下降。混合相中晶界的比例随N_2O先增后减,当N_2O达到一定值时形成稳定界面。
- 梅艳贾曦徐艳梅
- 关键词：拉曼光谱氧化硅微观结构
- 有机电致发光器件各层厚度对色坐标的影响被引量：1
- 2011年
- 采用真空蒸镀法制备了不同厚度的双层有机电致发光器件,器件结构为ITO/NPB/Alq3/Al。测得不同厚度的有机电致发光器件的色坐标,发现随有机层厚度值的增加,发光器件的色坐标x值增大,y值减小。为解释此现象,从光传输角度出发利用光传输矩阵理论分析了光从激发到射出器件的光耦合输出过程,建立了光输出模型并得出色坐标变化的原因是厚度变化引起相位的变化,从而影响了传输矩阵,这样透射率会随传输矩阵的改变而改变,色坐标的计算又与透射率有关,最终使色坐标发生改变。
- 徐艳梅韩颖慧刘冲杨志平
- 关键词：有机电致发光器件厚度色坐标
- Ga^(3+)对Mg_(14)Ge_(5)O_(24):Cr近红外发光材料的影响
- 2023年
- 利用高温固相法合成了Mg_(14)Ge_(5)O_(24):Cr近红外荧光粉,实现了Cr^(3+)和Cr^(4+)价态共存发光.利用XRD和GASA精修软件分析了样品的晶相.该材料存在2个发光中心,一个来自占据八面体Ge^(4+)位置的Cr^(3+),发射带位于近红外一区,半峰宽可达256 nm;另一个源于占据四面体Ge^(4+)位置的Cr^(4+),发射带位于近红外二区,半峰宽可达266 nm.通过低温光谱和寿命衰减曲线分析了材料的发光特性.利用Ga^(3+)代替Ge^(4+)可以实现对Cr^(3+)和Cr^(4+)发光的调控,大半径Ga^(3+)的加入产生了新的格位,从而影响了整体的晶体场强度,获得了近红外一区发光更强烈的荧光粉.
- 徐艳梅秦晓东梁绍龙王嘉瑞王雪骄王志军
- 关键词：发光近红外
