李国强
- 作品数：9 被引量：33H指数：3
- 供职机构：福建师范大学化学与材料学院更多>>
- 发文基金：福建省科技计划重点项目福建省教育厅资助项目福建省科技厅重点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 溶剂热生长技术制备金属硫族化合物纳米材料及其性能研究
- 纳米材料在电子、光学、化工、陶瓷、生物和医药等诸多方面的重要应用而引起人们的高度重视。本文主要采用溶剂热生长技术制备金属硫族化合物纳米材料并对其光学性能进行研究。在第一章中，对纳米材料的基本内涵、发展历史、结构及其特性、...
- 李国强
- 关键词：一维纳米材料溶剂热氧化铝模板纳米阵列硫族化合物
- 文献传递
- 溶剂热制备Zn（en）2S,ZnS纳米棒及其光学性能研究
- ＜正＞以有机溶剂热生长技术（solvothermal technique）)制备Zn（en）2S（en为乙二胺）纳米棒,以IR、 XRD、TG等测试表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键结合。以TEM、ED初步...
- 李国强钟惠妹陈日耀郑曦陈震
- 文献传递
- 水热/溶剂热制备金属氧族化合物纳米微粒被引量：3
- 2005年
- 介绍了近几年来以水热法及以此基础上发展起来的溶剂热生长技术在一系列重要的金属氧化物、硫族化合物纳米微粒的制备与尺寸和形状控制及其在生长机理中的应用。
- 李国强汪冰冰陈日耀郑曦陈震
- 关键词：纳米微粒水热法金属氧化物
- 纳米MoS_2的制备及其与聚吡咯物复合膜光学性能的研究被引量：8
- 2006年
- 以有机热溶剂法制备MoS2,并以XRD对其结构进行表征.TEM形貌观察表明晶粒具有纳米尺寸。以电化方法在ITO导电玻璃基体上制备聚合物聚吡咯薄膜。在导电聚合物膜上涂布纳米MoS2晶体,荧光分析发现其荧光光谱相对于聚合物膜有一定程度的红移。Z-Scan测试其折射率的结果表明其具有非线性光学特性。
- 何晓云钟淮真李国强陈力勤陈震
- 关键词：聚吡咯复合膜纳米半导体
- 半导体纳米材料Zn(en)_3Se,ZnSe及其光学性能研究被引量：2
- 2005年
- 以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTGI、R、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构;以提拉法分别将Zn(en)3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上,制得纳米颗粒/ITO复合膜,并研究其光学特性。结果表明,Zn(en)3Se属立方晶系,呈片状结构;ZnSe属六方纤锌矿型,棒直径在40nm左右;可能的生长机理是乙二胺作为模板分子,首先嵌入到ZnSe无机结构框架中,接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒。PL分析表明Zn(en)3Se的荧光红移至448nm处。
- 李国强陈日耀郑曦陈震
- 关键词：一维纳米材料溶剂热法光致发光
- 金属硫族化合物CsSb_2(Se_2)_(0.5)Se_3的溶剂热合成及其晶体结构分析
- 2006年
- 以有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)在180℃乙二胺(en)溶液中以SbCl3与碱金属硒化物Cs2Se和Se在密闭容器中反应7d,制备出新的金属硫族化合物CsSb2(Se2)0.5Se3。以单晶X射线衍射技术测得晶体结构属三斜晶系,空间群为P1,晶胞参数:a=0.6530(2)nm,b=0.7071(3)nm,c=0.9799(4)nm,α=80.37(3)°,β=86.28(3)°,γ=74.61(3)°,V=0.4300(3)nm3,Z=2。
- 陈震李国强陈日耀郑曦黄子祥
- 关键词：晶体结构无机化合物
- 有机溶剂热生长技术制备Zn(en)_2S、ZnS纳米棒及其光学性能的研究被引量：2
- 2005年
- 以有机溶剂热生长技术(organic solvothermal technique)制备Zn(en)2S(en为乙二胺)纳米棒,以IR、XRD、TG等测试表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键结合。以TEM、ED初步研究了该纳米材料的形貌、结构;以制得的纳米Zn(en)2S为母体,在氮气氛中,煅烧至900℃,制得棒状纳米ZnS;溶胶提拉法,在导电玻璃(ITO)基体上制备出ZnS、Zn(en)2S纳米微粒/ITO复合膜,并研究其光学特性。结果表明,二者均为纳米棒构型,Zn(en)2S属立方晶系,棒直径约为30nm;ZnS属六方纤锌矿型,棒直径较大,在60nm左右。PL分析表明Zn(en)2S的荧光红移至452nm处。
- 李国强何晓云钟惠妹张燕琼陈日耀郑曦陈震
- 关键词：一维纳米材料纳米棒光致发光
- 有机溶剂热生长技术制备硫族化合物及其光学特性的研究被引量：6
- 2004年
- 以有机溶剂热生长技术(solvothermaltechnique)制备了半导体硫族化合物(CdS、ZnS、MoS2)等纳米颗粒,采用XRD、TEM等技术对其结构进行表征.以ITO导电玻璃以及导电聚合物(PANI、PPY)膜为基底,将纳米颗粒涂布其上并以PL法研究其光学特性,实验结果表明:经修饰后,材料的荧光发射位置发生显著的变化.
- 钟淮真何晓云李国强陈震
- 关键词：半导体纳米光学特性
- 有机溶剂热生长技术制备纳米CdS及其与聚苯胺复合膜的光学性能被引量：14
- 2004年
- 以溶剂热生长技术(solvothermaltechnique)制备了半导体CdS的纳米微粒,并采用XRD、TEM、ED对其结构进行表征。在ITO导电玻璃上,采用电化学方法合成聚苯胺薄膜,以提拉的方法将CdS的纳米颗粒涂布其上,自组装得纳米CdS/PANI膜,并以荧光光谱(PL)及非线性Z 扫描法研究其光学特性。实验结果显示:经CdS修饰后,CdS/PANI膜的荧光发射峰强度增强,位置较单一PANI膜移至420nm处,同时经修饰后的复合物膜的非线性光学特性也有显著的提高。
- 钟淮真李国强何晓云陈日耀郑曦陈震
- 关键词：纳米聚苯胺复合膜半导体
