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李树荣

作品数:67 被引量:139H指数:7
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市科技攻关项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 62篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 56篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...

主题

  • 28篇光电
  • 20篇晶体管
  • 15篇负阻
  • 13篇负阻器件
  • 12篇光电负阻器件
  • 9篇探测器
  • 9篇硅光电负阻器...
  • 8篇电路
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  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 5篇单片
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  • 5篇振荡器
  • 5篇双稳
  • 5篇双稳态
  • 5篇光学
  • 5篇
  • 5篇CMOS
  • 4篇电晶体

机构

  • 67篇天津大学
  • 5篇清华大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇吉林大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇天津市农业科...

作者

  • 67篇李树荣
  • 42篇郑云光
  • 39篇郭维廉
  • 24篇姚素英
  • 20篇张生才
  • 20篇张世林
  • 17篇赵毅强
  • 9篇徐江涛
  • 8篇张培宁
  • 7篇张为
  • 7篇毛陆虹
  • 6篇沙亚男
  • 5篇吴霞宛
  • 5篇夏克军
  • 4篇陈培毅
  • 4篇吴静
  • 4篇李斌桥
  • 4篇胡泽军
  • 4篇李丹
  • 3篇郑元芬

传媒

  • 12篇电子学报
  • 10篇Journa...
  • 5篇半导体技术
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  • 4篇天津大学学报
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  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微处理机
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 5篇2006
  • 3篇2005
  • 12篇2004
  • 13篇2003
  • 6篇2002
  • 4篇2001
  • 7篇2000
  • 2篇1999
  • 5篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1989
  • 1篇1988
67 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光电双基区晶体管中的光控电流开关效应被引量:6
2000年
光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
郭维廉张培宁郑云光李树荣张世林
关键词:光电负阻器件光控电流开关光电晶体管
四位低功耗嵌入式微控制器的设计与实现被引量:1
2004年
介绍了一个低功耗嵌入式微控制器的电路结构及其VLSI的实现,该芯片利用EDA辅助设计实现了多时钟系统、哈佛结构、两级流水线结构以及内置液晶驱动电路,其指令集采用了类似通用八位机PIC16C5X的精简指令集。通过采用各种有效的措施,在0.5μm的CMOS工艺条件下,其功耗大大降低。
庞科张生才李树荣胡泽军金鹏
关键词:微控制器低功耗设计哈佛结构
硅光学双稳态(SOB)器件被引量:7
1998年
利用作者近期研制的硅光电表面负阻晶体管(PNEGIT)或光电“∧”双极晶体管(PLBT)两种硅光电负阻器件,提出并成功地实现了一种新型的硅光学双稳态器件。即以PNEGIT(或PLBT)作为光的输入器件,以其驱动一发光管(LED)作为光输出器件,由于PNEGIT和PLBT都具有光电负阻特性,致使在输出光功率(Pout)-输入光功率(Pin)特性上出现逆时针方向的光学双稳回线。这种器件具有光开关、光逻辑、光放大、光存贮、光眼福等多种功能,扩展了硅光电器件在光逻辑、光计算、光通讯等领域中的应用。
郭维廉张培宁郑云光李树荣郭钢
关键词:光学双稳态负阻特性
集成型硅光电负阻器件及应用研究被引量:7
1999年
本文报道了对集成型硅光电负阻器件及其应用的初步研究结果.文中介绍了硅光电负阻器件(PLBT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究.根据实验结果。
张培宁郭维廉张以谟郑云光李树荣梁惠来张世林
关键词:硅光电负阻器件振荡器
高性能视觉半导体光电近代探测器研制
张生才李树荣张世林赵毅强姚素英郑云光张为刘激扬阎富兰王涌萍牛秀文田利平崔金标元冰如
“高性能视觉半导体光电探测器的研制”是为我国第五套人民币防伪验钞机配套专用的特殊器件。项目选择长寿命优质无缺陷的单晶硅材料,优化器件设计,浅结注入(或扩散)技术,光抗反射技术,选用大面积光敏面等,实现了暗电流小,光灵敏度...
关键词:
关键词:高性能光电探测器高可靠性
基于双基区晶体管结构的光控振荡器
2004年
采用 DUBAT(双基区晶体管 )和光电二极管构成新型无电感光控振荡器 ,并对其等效电路进行了模拟 ,分析了工作原理 .实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比 ,可实现光的模数转化 .由于 DU BAT结构简单 ,与集成电路工艺兼容 ,成本低廉 。
卜春雨李树荣吴静李丹
关键词:振荡器光电双基区晶体管光电转换
CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)
2002年
报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7~ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 。
郭辉郭维廉郑云光黎晨陈培毅李树荣吴霞宛
关键词:光电探测器SOI近红外
一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源被引量:5
2006年
采用0.5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源.其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1.5 V的低电源电压下工作.该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点.模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40~140℃的范围内温度系数可达到1.9×10-5/℃,电路总功耗为37.627 5 μW.
李树荣李丹王亚杰姚素英
关键词:CMOS带隙基准电压源低压
硅光电负阻器件的光电功能被引量:3
2000年
全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能,为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
张世林郭维廉沙亚男李树荣郑云光
关键词:光电负阻器件光控电流开关
基于DUBAT的新型压控振荡器研究被引量:1
2004年
本文首次研制了一种基于双基区晶体管 (DUBAT)的无电感新型压控振荡器 (VCO) .文中详细分析了其工作原理 ,并给出了它的等效电路 ,模拟结果与实验结果是一致的 .由于DUBAT结构简单 ,工艺与双极集成电路工艺完全相容 ,从而为压控振荡器结合其它功能电路的大规模集成提供了一种新的实现方式 .
吴静李树荣夏克军郑云光郭维廉
关键词:振荡器晶体管等效电路正反馈模拟电路
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