您的位置: 专家智库 > 作者详情>杨少延

杨少延

作品数:147 被引量:68H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 91篇专利
  • 42篇期刊文章
  • 13篇会议论文

领域

  • 38篇电子电信
  • 17篇理学
  • 10篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理

主题

  • 44篇衬底
  • 19篇离子束
  • 19篇半导体
  • 17篇氮化
  • 17篇氮化镓
  • 17篇低能离子
  • 16篇生长温度
  • 13篇金属
  • 13篇发光
  • 12篇缓冲层
  • 12篇非极性
  • 11篇单晶
  • 11篇协变
  • 10篇导体
  • 10篇超高真空
  • 9篇氮化铝
  • 8篇氧化锌薄膜
  • 8篇溅射
  • 8篇磁性半导体
  • 7篇气相外延

机构

  • 146篇中国科学院
  • 7篇中国科学院力...
  • 6篇中国科学院大...
  • 5篇南京佑天金属...
  • 3篇北京师范大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇沈阳真空技术...
  • 1篇东莞理工学院
  • 1篇石家庄铁道学...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国地质大学...
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇中国航天时代...
  • 1篇中国地质大学...

作者

  • 146篇杨少延
  • 86篇王占国
  • 61篇刘志凯
  • 51篇柴春林
  • 49篇陈诺夫
  • 47篇魏鸿源
  • 44篇刘祥林
  • 28篇赵桂娟
  • 27篇陈涌海
  • 24篇焦春美
  • 24篇朱勤生
  • 24篇汪连山
  • 16篇李成明
  • 15篇李辉杰
  • 14篇宋书林
  • 14篇周剑平
  • 13篇廖梅勇
  • 13篇范海波
  • 10篇李艳丽
  • 8篇桑玲

传媒

  • 12篇Journa...
  • 6篇功能材料
  • 3篇科学通报
  • 3篇物理学报
  • 3篇稀有金属
  • 2篇真空
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇化学学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇环球财经
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇渤海大学学报...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2022
  • 8篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 6篇2016
  • 7篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
  • 7篇2012
  • 5篇2011
  • 6篇2010
  • 4篇2009
  • 10篇2008
  • 7篇2007
  • 7篇2006
  • 17篇2005
147 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
一种制备氧化锌薄膜材料的方法,特别是指一种利用SOI可协变衬底,采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底;步骤2:将溅射靶材装...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
一种制备金属铪薄膜材料的方法
本发明提供一种制备金属铪薄膜材料的方法。利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备,以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料,在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上,先用产生的同位素纯低能金属...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
本发明涉及离子束技术,是一种可在低能离子束材料制备方法中应用的离子源装置,包括弧室体和坩埚两部分,每部分配有辅助加热装置。弧室体与坩埚成一体且前后分离,之间有排进气孔连通;弧室体内装有上下双螺旋状灯丝,增大了弧室热功率和...
杨少延刘志凯柴春林蒋渭生
文献传递
制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法
本发明一种制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法,其中包括如下步骤:(1)选择一机械支撑衬底,该机械支撑衬底对于整个结构起机械支撑作用;(2)用分子束外延在机械支撑衬底上生长去耦合的中间层;(3)用分子束外延在去耦合的中间...
张志成杨少延黎大兵陈涌海朱勤生王占国
文献传递
CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”被引量:1
2001年
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.
柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国
关键词:PL谱光致发光谱离子价态
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
一种具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底,其特征在于,包括如下几部分:一常规SOI可协变衬底,包括起支撑作用的底部Si(100)衬底、中间起解偶合作用的氧化硅绝缘层,顶部起失配应变协调作用的超薄Si单晶可协变层;...
杨少延陈涌海李成明范海波王占国
文献传递
不同晶面蓝宝石和氧源对ZnO薄膜生长的影响被引量:1
2007年
在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比c面的小,更有利于增原子的迁移,从而实现ZnO的二维生长.发现甲醇作为氧源生长的薄膜晶体质量跟氧气作为氧源的相比有较大提高,这可能源于预反应的减弱和甲醇的表面活化作用.在r面蓝宝石上用甲醇作为氧源生长出了表面平整的ZnO薄膜,其(1012)面的非对称衍射的摇摆曲线半高宽仅0.10.
张攀峰魏鸿源范海波丛光伟杨少延朱勤生刘祥林
关键词:ZNO蓝宝石XRDSEM
大剂量Mn离子注入GaAs的性质被引量:1
2005年
在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
宋书林陈诺夫柴春林尹志岗杨少延刘志凯
关键词:砷化镓X射线衍射
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法,利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜,具体包括:取一蓝宝石衬底;在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
文献传递
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
本发明提供一种利用离子束外延(IBE)生长设备制备氮化锆(ZrN)薄膜材料的方法。在具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备上,选用纯度要求不高的氯化锆(ZrCl<Sub>4</Sub>)固体粉末和氮气(...
杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
文献传递
共15页<12345678910>
聚类工具0