洪慧聪
- 作品数：15 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 硼酸盐非线性光学材料BBO和LBO晶体的生长与结晶习性
- 洪慧聪
- 关键词：硼酸盐晶体三硼酸锂
- BBO晶体拉曼光谱的高温特性研究被引量：3
- 1997年
- ＢＢＯ晶体拉曼光谱的高温特性研究李郁陈凯旋尤静林蒋国昌（上海大学上海２０１８００）洪慧聪路治平仲维卓（中科院上海硅酸盐研究所上海２０００５０）ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＢＢＯＣｒｙｓｔａｌＬｉＹｕ，ＣｈｅｎＫａｉｘｕａｎ...
- 李郁陈凯旋尤静林蒋国昌洪慧聪路治平仲维卓
- 关键词：偏硼酸钡晶体BBO拉曼光谱
- 三硼酸锂（LBO）晶体生长基元与形貌被引量：9
- 1996年
- 本文采用称重法研究了ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）晶体中（１００）、（０１０）、（００１）和（０１１）方向的生长速率与溶液过饱和度之间的关系，发现在相同过饱和度的条件下，同一晶体的不同界面上出现了粗糙化相变和二维成核的不同生长机制，这种现象用负离子配位体生长基元的观点得到了圆满的解释。通过对溶液结构的测定，证实了溶液中存在着Ｂ－Ｏ３三角形和Ｂ－Ｏ４四面体结构。它与晶体中的配位结构相同，这两种配位体结合而形成的（Ｂ３Ｏ７）５－与晶体中的络阴离子环相当。环状络阴离子有两个非对称分布的悬键，具有偶极子的特征，正、负相连构成链状结构，与环链垂直的晶面显粗糙化相变的特征，与环链平行的晶面显二维成核的特征。
- 仲维卓洪慧聪路治平赵天德华素坤唐鼎元赵庆兰
- 关键词：晶体形貌非线性光学晶体晶体生长
- 溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡的方法
- 本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β-偏硼酸钡(β-BBa)单晶的方法，属于晶体生长领域。;本发明生长熔剂可分别采用Na<Sub>2</Sub>O，BaF<Sub>2</Sub>或Na<Sub>2</Sub>O+BaF<...
- 仲维卓路治平赵天德洪慧聪华素坤
- 文献传递
- β-BBO晶体的结晶习性与形成机理被引量：5
- 1994年
- 从结晶化学角度出发,研究了β-BBO结构中的基本结构单元,[B_3O_6]^(3-)环状络阴离子的结晶方位与晶体各族晶面的对应关系,根据Na_2O-BaB_2O_4溶液结构的测定资料,提出β-BBO晶体生长基元的结构形式和生长基元往各族晶面上叠合的规律。讨论了β-BBO晶体结晶习性的形成机制。由于物理化学条件的不同,生长基元的维度也不相同,而不同维度的生长基元往晶体各族晶面上的叠合速率比也会发生相应的变化,这是导致晶体形貌上形成多变性的原因。
- 仲维卓洪慧聪路治平赵天德华素坤唐鼎元赵庆兰
- 关键词：生长基元结晶习性BBO晶体
- 低温相偏硼酸钡晶体的结晶形貌被引量：5
- 1991年
- 低温相偏硼酸钡β-BaB_2O_4(简称BBO)晶体是由中国科学院福建物质结构研究所首次发现的一种新型的非线性光学材料,由于其优良的物理和化学性能,BBO晶体在激光倍频、混频和光参量振荡等方面都已得到广泛的应用。
- 洪慧聪路治平赵天德华素坤仲维卓
- 关键词：光学材料非线性偏硼酸钡BBO
- BBO 晶体中包裹物的研究被引量：1
- 1992年
- 本文研究了采用熔盐提拉法生长的低温相偏硼酸锁(BBO)晶体中的包裹物及其负晶结构。采用光学显微和电子探针微区分析等手段观测和分析了晶体中包裹物的种类、化学成分以及包裹物的分布规律。分析比较了各类包裹物在晶体中的结晶方位,提出并证实了晶体中的有规则状包裹物具有明显的负晶结构特征。讨论了消除或控制 BBO 晶体中包裹物产生的方法。
- 洪慧聪路治平赵天德华素坤仲维卓
- 关键词：晶体钡
- 称重法晶体生长的等径控制理论被引量：1
- 1992年
- 本文研究了在称重法等径控制系统中炉温波动对生长晶体直径的影响,导出了最大直径起伏的数学表达式,分析了直径起伏与系统参数、材料参数以及工艺参数之间的关系,为进一步提高晶体质量和等径度提供了理论依据。
- 路治平赵天德洪慧聪施尔畏仲维卓
- 关键词：称重法等径控制系统晶体生长
- BBO 晶体的化学腐蚀研究被引量：1
- 1993年
- 本文报道了 BBO 晶体在有机溶剂、水和酸碱等腐蚀液中的腐蚀实验结果。测量了晶体在不同腐蚀液和温度下的腐蚀速率、并根据 Arrhenius 公式计算了各腐蚀活化能。BBO 晶体抗有机溶剂腐蚀能力最强,碱和水次之,而酸的腐蚀最为强烈。在同一腐蚀剂中,晶体以 Z 面的腐蚀速率最高,而以垂直于 Z 面的柱面腐蚀速率最低。对 BBO 晶体几个主要晶面的腐蚀形貌进行了观察和分析,探讨了晶体的腐蚀机理。
- 洪慧聪路治平赵天德华素坤仲维卓
- 关键词：BBO晶体
- Bi_4Ge_3O_（12）（BGO）微晶粒的水热法制备被引量：5
- 1996年
- 以Ｂｉ＿２Ｏ＿３和ＧｅＯ＿２粉为起始物料，经水热反应制得Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿（１２）（ＢＧＯ）微晶粒。晶粒粒度为５～２０μｍ；结晶完好的晶粒呈多面体状。文中对所用前驱物的形式、水热反应的物理－化学条件与产物物相、晶粒形貌关系作了总结。
- 施尔畏仲维卓夏长泰华素坤洪慧聪冯锡淇路治平赵天德
- 关键词：锗酸铋微晶水热法
