王元玮
- 作品数：8 被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院材料学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能被引量：1
- 1997年
- 利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单相，InSb晶粒呈规则状外形长大．热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的1．31×104cm2／（V·s）提高到4．47×104cm2／（V·s）（热蒸镀）和2．15×103cm2／（V·s）提高到2．04×104cm2／（V·s）（磁控溅射）．
- 王元玮田跃汪亮明和文国
- 关键词：锑化铟半导体
- 磁敏电阻无触点倾斜角传感器被引量：7
- 1999年
- 本文介绍了利用电阻值随外界磁场变化而改变的磁敏电阻作为敏感元件,采用自重摆驱动永磁体转动,使永磁体与两个差动联结的MR元件相对覆盖面积变化,即磁通量改变,导致输出电压信号的变化,据此开发出WTH系列无触点倾斜角传感器。该产品可广泛用于需要使用寿命长,工作频繁,可在水、油、粉尘、等多种恶劣环境下长期使用的多种场合。
- 田跃和文国王元玮裴励
- 关键词：磁敏电阻倾斜角传感器
- 结晶速度对InSb－NiSb共晶复合材料磁致电阻性能R_b／R_o影响的研究被引量：2
- 1995年
- 研究了单向结晶速度Ｖ对ＩｎＳｂ－ＮｉＳｂ共晶磁致电阻性能Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ的影响。结果发现不同Ｖ，其Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ也不同。并且在Ｖ－Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ关系中存在着一个Ｒ＿ｂ／Ｒ＿ｏ最大值。这个最大值可由半导体的物理磁阻效应和几何磁阻效应的综合作用来说明。
- 王元玮萧宜雍
- 关键词：磁敏电阻单向凝固
- InSb-NiSb型无接触倾斜角传感器的研制
- 王元玮田跃徐立平
- 关键词：磁敏电阻器磁感应传感器
- InSb-NiSb无触点磁敏电位器型传感器的研制
- 田跃王元玮裴励
- 关键词：磁敏电位器磁感应传感器性能分析
- 高性能磁敏传感器被引量：1
- 1990年
- 功能复合材料即铟锑—镍锑(InSb—NiSb)是一种高性能磁阻材料。当外加磁场变化时,这种材料本身的电阻值发生数倍变化。利用这一性质,它可以制成多种精密的传感器和电子器件。这种材料在我国已研制成功。它的优异性能和广泛的应用前景正在不断地被认识,它的开发与应用日趋广泛。由它制成的多种传感器具有各种高性能,它们的出现必然对我国未来几十年工业技术产品的升级,更新换代,赶超世界先进水平起到重要的作用。
- 王元玮于朴田跃
- 关键词：高性能磁阻磁敏传感器
- 一种消除磁阻脉冲传感器温度影响的新方法
- 1997年
- 提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法．与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物理量温度等的变化无关；然后整形成矩形彼，有效地消除了温度漂移的影响，提高了传感器的稳定性．此外，还分析了信号处理电路中各参数的选取及注意事项等．
- 和文国田跃王元玮
- 关键词：磁编码器磁阻效应温度漂移
- 当代磁敏电阻型传感器的发展与应用被引量：6
- 1996年
- 磁敏电阻制备技术及相应传感器的开发与应用是磁敏感技术近二三十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支.它依据物理学磁致电阻效应,将磁场的变化无接触转化为材料的电阻率变化,从而把与磁场变化相联的各种运动形式转化为电信号输出,形成各种各样的传感器.磁敏传感器技术是涉及到许多应用领域、跨学科的综合性高新技术.
- 田跃和文国王元玮裴励
- 关键词：传感器
