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王长河

作品数:16 被引量:44H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程理学航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇微电子
  • 3篇电磁
  • 3篇电磁脉冲
  • 3篇微电子机械
  • 3篇微电子机械系...
  • 3篇晶体管
  • 3篇抗辐射
  • 3篇半导体
  • 2篇电子器件
  • 2篇执行器
  • 2篇微波晶体管
  • 2篇微电子器件
  • 2篇微机械
  • 2篇微结构
  • 2篇静电放电
  • 2篇抗辐射加固
  • 2篇可靠性
  • 2篇二极管
  • 2篇分立器件
  • 2篇感器

机构

  • 15篇中国电子科技...
  • 2篇中国人民解放...
  • 2篇信息产业部电...
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 15篇王长河
  • 2篇李用兵
  • 2篇杨洁
  • 1篇彭苏娥
  • 1篇刘尚合
  • 1篇李亚红
  • 1篇刘红兵
  • 1篇郝景红
  • 1篇刘云彩
  • 1篇石洁
  • 1篇李书科
  • 1篇高兆丰
  • 1篇李树杰
  • 1篇王弘英
  • 1篇梁法国
  • 1篇戈江娜
  • 1篇顾振球
  • 1篇高建军
  • 1篇吴文章
  • 1篇田国强

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 3篇半导体情报
  • 2篇电子产品可靠...
  • 2篇电子元器件应...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2001年全...
  • 1篇2003全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 5篇2001
  • 2篇1996
  • 1篇1993
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究被引量:12
2007年
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。
杨洁王长河刘尚合
关键词:静电放电
第五届全国抗辐射电子学学术会议概况
1993年
第五届全国抗辐射电子学学术会议于1993年9月17日至21日在大连召开。来自航天部、中国工程物理研究院、电子部、西北核技术研究所、中科院、高等院校等38个单位,一百多位专家和科技人员出席会议。会议在著名核技术专家叶立润研究员的主持下隆重开幕,
王长河
关键词:抗辐射电子学
微电子机械系统的进展与应用前景
本文论述了微电子机械系统(MEMS)的内涵,分析了MEMS近年来的研究进展,以微型传感器微型执行器为例,探讨其设计思想,主要加工技术及应用前景.
王长河
关键词:微机械微结构传感器执行器微电子学微电子机械系统
文献传递
半导体分立器件的可靠性工艺控制方法
2003年
重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道:工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法;还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。
王长河彭苏娥
关键词:半导体分立器件微缺陷光刻工艺金属化工艺干法腐蚀超纯水
航天电子系统中的电子元器件辐射效应分析及抗辐射对策被引量:3
2001年
本文对应用于航天电子系统的电子元器件在辐射环境下的性能退化模式及损伤机理进行分析,介绍提高元器件抗辐射能力的一些措施。
王长河
关键词:电子元器件抗辐射加固航天电子系统
GaAs器件电磁脉冲效应实验与毁伤机理研究被引量:3
2010年
介绍了GaAs低噪声器件电磁脉冲效应实验响应的易损敏感端,对所确定的敏感端注入电磁脉冲方波,研究了器件在静态时的损伤阈值。根据GaAs器件易损性薄弱环节,从GaAs器件的结构、内部缺陷等出发,探索电磁脉冲对GaAs器件易损性薄弱环节的损毁机理。通过对毁伤实验分析,进一步阐述了电磁脉冲对器件存在潜在不稳定性失效,对器件和整机系统设计者和使用者具有一定的参考意义。GaAs微波低噪声器件在EMP正脉冲注入情况下,获得的损伤阈值约为3.024μJ。在EMP负脉冲注入情况下,损伤阈值约为10.02μJ。初步认为GaAs FET的正脉冲EMP比负脉冲EMP更易损伤。
李用兵田国强王长河江西元
关键词:砷化镓电磁脉冲毁伤机理阈值
ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究被引量:4
2008年
主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理。实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平。
刘红兵王长河赵彤李用兵杨洁
关键词:静电放电电磁脉冲
微电子机械系统的进展与应用前景被引量:1
2001年
本文论述了MEMS的研究进展、设计思想。
王长河
关键词:微机械微结构传感器执行器微电子机械系统
8mm集成四次谐波混频器
本文介绍了一种新颖的8mm混合集成四次谐波混频器电路及设计方法。混频器使用一只反向并联混频二极管对。介质材料采用RT-Duriod 5880。经测试,当本振频率为9GHz,13dBm,射频频率为34.5~37.5GHz时...
戈江娜李书科王长河
关键词:谐波混频器变频损耗
微波晶体管测试夹具技术的研究被引量:3
2011年
微波晶体管是无线通信、雷达等电子系统中的关键部分。由于其高频特性以及一般非50Ω特性阻抗,准确评估其性能有较大的难度。晶体管大都为不同形式的表面贴装或表面安装器件,而目前微波测试系统基本上都是同轴传输系统,因此,就需要通过测试夹具完成对测试器件固定、馈电以及信号同轴传输转微带传输的功能。微波器件测试是保证器件质量和发展的关键手段,夹具制作技术对测试结果影响巨大,对微波晶体管测试夹具制作进行了研究,并提出了解决方案。
王弘英王长河高建军默立东
关键词:微波晶体管测试夹具校准自激可靠性
共2页<12>
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