王鸿
- 作品数：21 被引量：47H指数：4
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>
- 氧化铝陶瓷/金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究被引量：2
- 1998年
- 采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜．用扫描电镜（ＳＥＭ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量，并测定和分析了氧化铝／金刚石膜复合材料的介电性质．
- 莫要武夏义本辛吉升黄晓琴王鸿
- 关键词：金刚石薄膜氧化铝陶瓷复合材料
- 掺钙钨铁酸铅材料的合成及其介电性能被引量：2
- 2002年
- 研究了在钨铁酸铅(PFW)中添加Ca2+的合成过程及相应的介电性能。合成方法采用B位先驱体合成法。结果表明最后的产物中存在杂相,并很难消除。材料的介电性能受杂相的影响很大。随着杂相含量的增加,er、tgd 降低及对频率的依赖性变小。在x(Ca2+)为10%时,不同频率的er-q 曲线基本相同。
- 吴健卞建江王鸿
- 关键词：铁电体介电性能
- B位掺杂对(Pb,Ca)(Fe1/22Nb1/2)O3陶瓷微波介电性能的影响
- 研究了B位分别掺杂Sn、Zr、Ce对(PbCa)(FeNb)O(PCFN)陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结果表明,掺杂样品能在相对较低的温度下烧结(1200℃/2h),B位大半径离子的掺入使介电常数降...
- 卞建江钟永贵王晓武王鸿
- 关键词：微波介质介电损耗
- 文献传递
- 硅太阳电池类金刚石增透膜的研制被引量：2
- 1993年
- 用类金刚石薄膜制作硅太阳电池的增透膜可以明显地改善它的光谱特性.实验表明,用类金刚石薄膜制作增透膜之后,硅太阳电池的短路电流增加38%.在较大的光谱范围内响应值增大,并且在650—750nm波长范围内有最大增透效应.在650—950nm波长范围内,量子效率接近1.
- 安其霖夏义本居建华史伟民王鸿
- 关键词：增透膜类金刚石太阳能电池
- 陶瓷氧化铝—金刚石薄膜复合材料的研究被引量：1
- 2001年
- 以有机高分子化合物酒精和氢气为反应气体，用热丝CVD法在Al2O3陶瓷基片上沉积出
金刚石薄膜,用拉曼光谱，X射线衍射等方法进行了表征。探索了碳源浓度、热丝温度、基片温度
和预处理工艺对金刚石薄膜结构和性能的影响，并且得到了最佳的工艺条件。探讨了金刚石在
Al2O3衬底上的成核和生长机理。
- 黄晓琴夏义本莫要武王瑜居建华王鸿
- 关键词：金刚石薄膜拉曼光谱X射线衍射氧化铝陶瓷复合材料
- Ca掺杂钨镁酸铅陶瓷材料的制备及其介电性能被引量：2
- 2003年
- 研究了Ca掺杂钨镁酸铅 (PMW )陶瓷材料的合成、结构、烧结以及介电性能。结果发现 :在Ca2 + 摩尔分数小于 15 %时 ,能形成单相的PCMW钙钛矿相 ,结构由原来的斜方相向立方相转变。用二步合成法制备的样品容易致密烧结 ,气孔率比一步法制备的样品小。Ca的加入降低了材料的介电损耗 ,在频率为 1MHz时 ,介质损耗达到了 10 - 4 。当Ca2 + 摩尔分数大于 10 %时 ,材料的Curie峰宽化显著 。
- 王晓武吴健王鸿卞建江
- 关键词：CA钙掺杂介电性能反铁电体微波介质陶瓷
- Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理被引量：2
- 1993年
- 以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.
- 屠宇强夏义本王鸿
- 关键词：金刚石薄膜热丝法成核
- B位掺杂对(Pb, Ca)(Fe<,1/2>Nb<,1/2>)O<,3>陶瓷微波介电性能的影响
- 研究了B位分别掺杂Sn<'4+>、Zr<,4+>、Ce<'4+>对(Pb<,0.45>, Ca<,0.25>)(Fe<,1/2>Nb<,1/2>)O<,3>(PCFN)陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验结...
- 卞建江钟永贵王晓武王鸿
- 关键词：微波介质介电损耗
- 文献传递
- 掺杂ZrO_2对(Pb,Ca)(Fe,Nb)O_3陶瓷微波特性的影响被引量：7
- 2001年
- 研究了 B位 Zr掺杂对 (Pb0.45Ca0.55)(Fe1/2Nb1/2)O_3 (PCFN)陶瓷的烧结行为、 微观结构及微波介电性能的影响。试验结果表明 ,PCFNZ陶瓷能在相对较低的温度下烧结 (12000C/2h),在 x=0.025时 ,有较高的 Q· f值 ,它的微波介电性能 :Q· f=9828GHz,ε r=91,τ f=9ppm/0C,用这种材料做成的带通滤波器在中心频率为 928.4MHz下 ,插入损耗为 2.469dB,满足插入损耗应小于 3dB的要求。
- 钟永贵卞建江王鸿
- 关键词：微波介质Q值掺杂陶瓷滤波器
- B位掺杂对(Pb,Ca)(Fe<,1/2>Nb<,1/2>)O<,3>陶瓷微波介电性能的影响
- 研究了B位分别掺杂Sn<''4+>、Zr<,4+>、Ce<''4+>对(Pb<,0.45>,Ca<,0.25>)(Fe<,1/2>Nb<,1/2>)O<,3>(PCFN)陶瓷的烧结行为、微观结构及微波介电性能的影响。实验...
- 卞建江钟永贵王晓武王鸿
- 关键词：微波介质介电损耗
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