田晶
- 作品数：7 被引量：16H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金四川省科技厅科技支撑计划项目成都市科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术动力工程及工程热物理医药卫生更多>>
- 快制备用于中低温锂化物熔盐电化学研究的(α+β)LiAl参比电极
- LiAl合金是早期锂热电池所需的重要负极材料.从Al-Li合金相图[1]可知,合金中锂摩尔含量为7～47％时,合金以(α+β)相存在,具有较高的熔点(～600℃),并且电极电位稳定,比纯锂电位正约0.299V[2].
- 汪雪芹陈金伟王刚田晶康红姜春萍王瑞林
- 全钒氧化还原液流电池电解液被引量：12
- 2013年
- 近年来,全钒氧化还原液流电池(VRFB)作为一种新型的储能电池备受关注。作为VRFB的核心材料,电解液的制备及优化一直都是研究的热点。高浓度和高稳定性电解液的制备是钒电池的关键技术之一。电解液性能的提高有助于加速VRFB的商业化进程。本文综述了VRFB电解液的研究进展,重点介绍了电解液的制备方法和影响电解液稳定性的因素,简述了电解液中钒离子浓度的分析方法和钒离子的存在形式,最后对电解液的进一步研究和应用前景进行了展望。
- 王刚陈金伟汪雪芹田晶刘效疆王瑞林
- 关键词：全钒氧化还原液流电池电解液稳定性
- 磁控溅射制备CdS/ZnO复合薄膜及其光电性能研究被引量：2
- 2015年
- 采用射频磁控溅射两步法制备出CdS/ZnO复合膜,并通过XRD、SEM、AFM、UV-vis、IPCE表征了制备的薄膜.SEM及AFM测试表明,相比于单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜的表面形成了更加明显的介孔结构;光电转换效率测试表明,相比单独的CdS薄膜,CdS/ZnO复合膜表现出更高的光电转换效率,0V(vs.Ag/Ag Cl)偏压下,IPCE值由36.1%(410nm)增大到66.1%(410nm).光电转换效率的增加一方面是由介孔表面引起的光吸收增加以及表面活性位增多引起;另一方面,两种半导体的复合形成异质结,异质结的形成促进了光生电子-空穴的分离,提高了薄膜的光电转换效率.
- 彭廉钦田晶王域陈金伟王瑞林
- 关键词：异质结介孔结构光电转换效率电荷分离光解水
- USP制备高光电活性Ti掺杂Fe_2O_3薄膜
- 2013年
- 本文报道了采用超声喷雾裂解法(USP)法制备α-Fe2O3以及不同厚度的Ti掺杂α-Fe2O3薄膜,并通过XRD、XPS、SEM、IPCE表征了合成的薄膜。XRD测试结果表明,Ti掺杂和纯相Fe2O3均为α相并在(110)晶面优先生长;从AFM图中看出Fe2O3晶粒呈尖峰状垂直于平面排列;由XPS分析得知Ti离子在Fe2O3薄膜中以Ti4+和Ti3+两个价态存在;由光电效率表征可知,吸收光电转换效率(APCE)值是随着样品薄膜厚度增加而减小,在厚度为20nm时APCE为58%,对于粉末Fe2O3光催化材料是粒径尺寸越小光利用率越高;然而Fe2O3薄膜的IPCE值在厚度为60nm时最高达到23.5%,此时光利用效率最大。
- 刘尚军杨鑫练小娟续颖田晶王瑞林
- 关键词：USPFE2O3光催化IPCE
- Cu(In_xGa_(1-x))Se_2薄膜太阳电池吸收层材料研究进展被引量：1
- 2012年
- 简要介绍了Cu(InxGa1-x)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的结构特点,阐述目前其吸收层材料CIGS薄膜典型制备方法的特点、研究应用现状及发展趋势;提出了目前CIGS薄膜太阳电池实现大规模商业化应用存在的问题,并对其发展进行展望。
- 田晶陈金伟杨鑫王刚汪雪芹王瑞林
- 关键词：薄膜太阳电池
- 直流磁控溅射厚度对Cu(In_x,Ga_(1-x))Se_2背接触Mo薄膜性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用直流磁控溅射工艺,在一定条件下通过控制溅射时间,在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(Inx,Ga1-x)Se2薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响.Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系;随厚度的增大,Mo薄膜(110)和(211)面峰强均逐渐增大,择优生长从(110)方向逐渐向(211)方向转变,方块电阻值只随(110)方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2/,电导率随薄膜的(110)择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10-4Ω·cm;Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构,并处于拉应力态,其内部应变随薄膜厚度的增大而减小.
- 田晶杨鑫刘尚军练晓娟陈金伟王瑞林
- 关键词：MO薄膜厚度
- 反应溅射氧分压对In_2O_3薄膜光电转换性能的影响
- 2013年
- 用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜的光学带隙。结果表明,室温反应溅射条件下,直接溅射得到的薄膜都是非晶薄膜,且吸光度随制备氧分压的增大而减小,相同功率下,薄膜厚度随氧分压增大而减小,光吸收起始位置也随之蓝移。相同偏压下,薄膜的单色光转换效率(IPCE)随氧分压增大先减小后增大。在0.5 mol/L Na2SO4溶液中,0.26 Pa氧分压得到的样品IPCE为14.8%(λ=400 nm)。在1.0 V Ag/AgCl偏压下,0.26 Pa氧分压样品光电流为28μA/cm2。
- 杨鑫练晓娟刘尚军田晶陈金伟王瑞林
- 关键词：反应溅射IPCE光电流氧分压
