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薛菲

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇ER
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶薄膜
  • 1篇电学
  • 1篇电子束
  • 1篇介质膜
  • 1篇V
  • 1篇I

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇蒋最敏
  • 3篇朱燕艳
  • 3篇陈圣
  • 3篇方泽波
  • 3篇樊永良
  • 3篇薛菲
  • 2篇徐润
  • 1篇徐闰

传媒

  • 2篇江西科学
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
Er_2O_3薄膜的电学性质研究被引量：1
2005年
Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源,制备了Er2O3的薄膜,随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C-V及I-V特性的测试,认为该材料的电学特性优秀,应该进行进一步的研究。
陈圣徐润朱燕艳方泽波薛菲樊永良蒋最敏
Er2O3单晶薄膜的生长以及Er2O3/Si异质结的能带偏移
本文使用分子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.在较低的温度和较低的氧气压下在薄...
朱燕艳徐闰陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏
关键词：分子束外延
文献传递
电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜被引量：1
2005年
使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。
朱燕艳徐润陈圣方泽波薛菲樊永良蒋最敏
关键词：分子束外延介质膜
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