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赵悦

作品数：59 被引量：14H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生兵器科学与技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 53篇晶体管
  • 51篇双极晶体管
  • 29篇电阻
  • 26篇发射区
  • 19篇锗硅
  • 17篇多晶
  • 17篇异质结
  • 17篇异质结双极晶...
  • 17篇锗硅异质结双...
  • 17篇发射极
  • 15篇多晶硅
  • 14篇原位掺杂
  • 14篇抬升
  • 14篇嵌入式
  • 14篇基极
  • 14篇基极电阻
  • 14篇掺杂
  • 13篇多晶硅发射区
  • 12篇自对准
  • 12篇金属硅化物

机构

  • 59篇清华大学
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 59篇赵悦
  • 56篇付军
  • 56篇王玉东
  • 56篇崔杰
  • 52篇刘志弘
  • 50篇张伟
  • 40篇吴正立
  • 39篇李高庆
  • 32篇许平
  • 2篇朱从益
  • 2篇蒋志
  • 2篇张伟
  • 1篇周卫
  • 1篇沈际勇
  • 1篇周伟
  • 1篇张培海

传媒

  • 1篇中国卫生质量...
  • 1篇2011’全...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2018
  • 2篇2016
  • 17篇2015
  • 5篇2014
  • 14篇2013
  • 13篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 59 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻R<Sub>B</Sub>的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外...
付军王玉东崔杰赵悦张伟刘志弘许平
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够达到露出所述多晶硅外基区部分侧壁从而为后续与锗硅外延...
付军赵悦 郑凯 周亦康
射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法
本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上...
王玉东付军吴正立崔杰赵悦张伟许平
具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品输出输入电容大的缺陷而设计。本发明具有电极屏蔽结构的异质结双极晶体管包括衬底、埋层、外延层、集电极引出区、场氧层、本征基区、集电极多晶硅引出部、...
赵悦付军王玉东崔杰张伟刘志弘李高庆许平
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自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻R<Sub>B</Sub>大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、...
付军王玉东张伟李高庆吴正立崔杰赵悦刘志弘
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嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延...
王玉东付军崔杰赵悦刘志弘张伟李高庆吴正立许平
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微波低噪声SIGE HBT的研发(摘要)
　　作为将能带工程引入硅器件的最成功范例, SIGE HBT出色的高频功率和噪声性能,加之与硅集成电路工艺的良好兼容性,使其器件及其集成电路产品具有优异的性价比,因而已经广泛应用于无线通信、全球定位系统、无线局域网等领域...
张伟钱文生周天舒季伟李昊刘鹏黄景丰周伟顾学强付军王玉东李高庆崔杰赵悦许平刘志弘周正良
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