车勇
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 4H-SiC射频MESFET中陷阱参数的提取方法被引量：2
- 2008年
- 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提取了时间常数、陷阱浓度等相关参数.得到的模拟结果能够较好的反映实验结果.
- 吕红亮张义门张玉明车勇王悦湖陈亮
- 关键词：碳化硅频率偏移
- 4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取(英文)
- 2008年
- 研究了界面态对4H-SiCMESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2.eV-1和6.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.
- 吕红亮张义门张玉明车勇孙明
- 关键词：碳化硅肖特基接触表面态
- 陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响
- 2008年
- 针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对器件特性的影响,并进一步阐明了陷落-发射机制.计算得到陷阱能级为1.07eV,俘获截面为1×10-8cm2,器件的自升温达到100K以上,能够较好地反映实验结果.分析结果表明,背栅电势随陷阱浓度的增大而增大,并随着漏极电压的增大而减小,在室温下达到～3V.另外,由于器件中存在自热效应,背栅电势随漏压的变化加剧.这些模拟分析对实际器件的设计及工艺制造提供了理论上的依据.
- 吕红亮张义门张玉明车勇王悦湖
- 关键词：SICMESFET自热效应
- 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
- 2008年
- 针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,建立了基于解析模型的器件小信号参数模型,引入能够反映陷阱影响的参数Rds″、gm″、Css等,从而能够由此分析器件特性随频率偏移的情况.对沟道缓冲层界面深能级陷阱的分析表明,4H-SiC MESFET的跨导既有正向偏移,也有负向偏移.偏移频率在室温下不足1Hz,但在600K的温度下则可达到MHz的量级.结合自热效应模型,论文还分析了栅、漏极偏置和温度对器件频率偏移特性的影响.模拟结果表明,随着温度的上升,偏移频段上升.本文的模拟分析对器件的设计提供了理论上的依据.
- 吕红亮张义门张玉明车勇王悦湖邵科
- 关键词：碳化硅MESFET频率特性
- 4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析被引量：2
- 2009年
- 采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μm增大到1.6μm,器件的输入(输出)三阶截取点从33.55dBm(36.26dBm)减小到18.1dBm(13.4dBm),1dB压缩点从24dBm下降到7.43dBm。为实际器件的线性化设计提供理论依据。
- 吕红亮车勇张义门张玉明郭辉张林
- 关键词：碳化硅金属半导体场效应晶体管VOLTERRA级数
