您的位置: 专家智库 > >

辛凤

作品数:11 被引量:18H指数:2
供职机构:景德镇陶瓷学院机械电子工程学院更多>>
发文基金:江西省教育厅科学技术研究项目江西省自然科学基金景德镇市科技局项目更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 4篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇介电
  • 5篇电性能
  • 5篇介电性
  • 5篇介电性能
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 4篇BI
  • 3篇微结构
  • 3篇ZN
  • 2篇脉冲激光沉积...
  • 2篇NB
  • 2篇O
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电子陶瓷
  • 1篇电子陶瓷材料
  • 1篇性能对比
  • 1篇知识
  • 1篇知识创新
  • 1篇陶瓷

机构

  • 10篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 10篇辛凤
  • 9篇胡跃辉
  • 9篇张效华
  • 8篇陈义川
  • 7篇杨丰
  • 3篇曾庆明
  • 3篇范跃农
  • 1篇冯浩

传媒

  • 4篇陶瓷学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇江西省科学学...

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 5篇2012
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
行业特色型大学在协同创新体系中的优势--以景德镇陶瓷学院为例
作为行业特色型大学,“依托行业而产生、服务行业而发展”的格局面临着新的挑战.在高等教育发展地方化和市场化趋势日益明显的新形势下,加强对新形势下的行业特色型大学在协同创新体系中优势的研究,具有重要的实际意义.
辛凤冯浩
关键词:高等教育知识创新科研管理
文献传递
脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7薄膜被引量:4
2012年
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.507(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/si(100)基片制备立方BZN薄膜。研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明当衬底温度在550-650℃时,薄膜具有纯的立方BZN结构,并且在600℃时薄膜的晶粒发育比较完整,此时薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗。
张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川范跃农曾庆明
Bi_(1.5+x)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_(7+1.5x)(x=0.075,0.15)陶瓷的结构和介电性能被引量:2
2012年
采用固相反应法,以立方焦绿石Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7(BZN)为配方基础,通过改变Bi^(3+)离子与O^(2-)离子的浓度,形成非化学计量比Bi_(1.5+x)ZN_(1.0)Nb_(1.5)O_(7+1.5x)(x=0.075,0.15)陶瓷。研究了不同Bi含量和烧结温度对BZN陶瓷的结构、微观形貌以及介电性能的影响。结果表明制备的非化学计量比BZN陶瓷在不高于1050℃时,呈现焦绿石单相结构;随着烧结温度增加到1100℃,x=0.075,出现ZnO杂相;x=0.15,出现Bi_2O_3杂相。随着x值的增大,BZN陶瓷样品的晶格常数、密度以及介电常数都逐渐增加。
辛凤张效华胡跃辉
关键词:固相反应介电性能
不同衬底温度下生长的Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_(7.0)薄膜的XPS研究被引量:2
2013年
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜,衬底温度在500~700℃范围内变化。X射线衍射测量结果表明:当在500℃沉积BZN薄膜时,薄膜呈现出无定形态结构。随着衬底温度增加到550℃,薄膜开始晶化,并且显示出立方焦绿石结构。X射线光电子能谱也被用来研究BZN薄膜的结构状态和元素价态。测试得到的全谱表明:在BZN薄膜中,除了用于定标的C元素之外,只有Bi、Zn、Nb、O元素的特征峰,此外有Ti2p特征峰出现,可能来自底电极的TiO2缓冲层。各元素的窄谱扫描表明:Bi,Zn,Nb,O四种元素的化学价态分别是+3,+2,+5,-2。BZN薄膜在550℃结晶,随着衬底温度升高到600℃,金属阳离子的结合能的峰位向高能方向移动,然而O1s的特征峰位也向高能方向移动,这归因于薄膜中存在的氧空位。
张效华辛凤胡跃辉陈义川杨丰
关键词:BI1脉冲激光沉积X射线光电子能谱
几种电子陶瓷材料的研究进展与应用前景被引量:5
2013年
电子科学,信息技术发展日新月异,高速奔向集成化和微型化。在电子产品中,元器件是其重要的组件之一。所以对核心元件提出更高的标准:必须具有高速,微型,轻薄,高可靠性等特点。电子元器件的核心技术就是如何利用功能陶瓷材料的电、磁、声、光、力、热等特性。元器件的发展趋势是小型化、片式化、多层化、模块化、集成化和多功能化,以及高性能低花费,方便使用。本文综合介绍了微波介电,铁电压电,磁性以及热释电等新型功能陶瓷材料,同时也介绍了最新的研究进展及可能的应用前景。
张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川
关键词:功能陶瓷微波介电磁电热释电
脉冲激光沉积法制备立方焦绿石结构的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜.研究了随衬底温度的变化,薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能...
张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川范跃农曾庆明
关键词:脉冲激光沉积微结构介电性能
Bi_(1.65)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_(7.225)陶瓷和薄膜的结构和介电性能对比被引量:1
2012年
以立方焦绿石Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)为配方基础,通过掺入过量10%的Bi2O3,形成Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225非化学计量比分子式。采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷,并采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备其薄膜。对比研究了非化学计量比Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的差异。结果表明烧结的Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225陶瓷和沉积的BZN薄膜都保持立方焦绿石单相结构,但是薄膜展现出较强的(222)晶面择优取向。陶瓷和薄膜的晶格常数,微观形貌都体现出差异。对比二者的介电特性后发现,Bi1.65Zn1.0Nb1.5O7.225薄膜的介电常数明显高于陶瓷的介电常数,这归因于薄膜和块体材料之间的差异,例如厚度,致密度,择优取向等。
张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川
关键词:介电性能
功能薄膜材料的制备方法对比与应用前景被引量:2
2015年
伴随电子信息技术的爆炸性发展,微电子与固体电子技术发展也日新月异,从而促进了薄膜材料在不同领域的广泛应用。反之,高性能薄膜材料的出现也直接促进信息技术的飞跃。电子元器件的发展趋势呈现高速运行,微型与轻薄化,可靠性高,高度集成等趋势,同时与微电子工艺兼容。薄膜材料正好满足多层布线与高度集成等工艺要求。本文综合介绍功能薄膜的制备方法以及优缺点对比。同时也简要介绍了薄膜材料的种类,研究进展以及可能的用途。
辛凤张效华胡跃辉陈义川
关键词:功能薄膜材料表面处理
在石墨基体上制备耐磨的SiC镀层研究被引量:2
2012年
在工业冶炼碳化硅(SiC)过程中,在石墨基体上制备具有耐磨特性的SiC镀层。讨论了SiC镀层的形成过程,采用X射线衍射仪(XRD)分析了SiC镀层的物相结构,采用隧道扫描电镜(SEM)分析了镀层的表面形貌。并分析了SiC镀层的硬度和耐磨特性。结果表明:镀层为高温稳定型α-SiC,同时伴有Fe3Si和SiO2杂相出现,SiC镀层的表面硬度达到了1120HV,磨损机制为颗粒磨损,具有较好耐磨性能。
张效华胡跃辉杨丰辛凤范跃农曾庆明陈义川
沉积氧压对Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7薄膜的结构和介电特性的影响被引量:2
2012年
采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/SiO2/Si(100)基片上制备立方BZN薄膜。研究了沉积氧压的变化对薄膜的结晶性能,微观形貌以及介电性能的影响。结果表明:沉积的BZN薄膜都呈现出立方焦绿石单相结构,但是薄膜的取向随氧压变化而变化。当沉积氧压为10 Pa时,薄膜的(222)晶面拥有最强的择优取向。随着氧压的升高,BZN薄膜的介电常数明显降低。在10 Pa氧压下沉积的BZN薄膜展示出介电可调特性为5%(500 kV/cm)。
张效华辛凤胡跃辉杨丰陈义川
关键词:脉冲激光沉积微结构介电性能
共1页<1>
聚类工具0