陈天宝
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：深圳大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：深圳市基础研究计划项目广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术理学更多>>
- 热电薄膜与薄膜温差电池研究进展
- 首先介绍国内外低温Bi-Sb-Te系热电薄膜材料的研究现状,对采用不同方法制备的Bi-Sb-Te系热电薄膜性能进行简要评述。在阐述提高Bi-Sb-Te系薄膜热电材料性能的方法、途径以及其应用的基础上,介绍我们在热电薄膜方...
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- 文献传递
- Bi-Sb-Te基热电薄膜温差电池离子束溅射制备与表征被引量：1
- 2011年
- 本文采用离子束溅射Bi/Te和Sb/Te二元复合靶,直接制备n型Bi2Te3热电薄膜和p型Sb2Te3热电薄膜.在退火时间同为1h的条件下,对所制备的Bi2Te3薄膜和Sb2Te3薄膜进行不同温度的退火处理,并对其热电性能进行表征.结果表明,在退火温度为150℃时,制备的n型Bi2Te3热电薄膜的Seebeck系数最大,为-148μVK-1,功率因子也达到最大,为0.893×10-3Wm-1K-2;在退火温度为200℃时,制备的p型的Sb2Te3热电薄膜的Seebeck系数为+117μVK-1,功率因子达到最大,为0.797×10-3Wm-1K-2.因此,本文分别选取了150℃退火温度下制备的Bi2Te3薄膜和退火温度为200℃下制备的Sb2Te3薄膜作为薄膜温差单体电池的p型和n型薄膜层.结果表明,在冷热端温差为50K的条件下,薄膜温差单体电池的输出电压为15.26mV,最大的输出功率为0.129μW.
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- 关键词：离子束溅射
- 铜铟镓硒薄膜的四元叠层法制备与表征被引量：4
- 2012年
- 采用热蒸发沉积Ga、离子束溅射沉积Cu、In和Se,在BK7玻璃上形成Ga/Gu/In/Se四元叠层,在同一高真空环境下对四元叠层进行退火热处理,制备得到铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池吸收层材料CIGS薄膜.通过X射线衍射仪、能谱仪、扫描电子显微镜、分光光度计及四探针,测量材料的结构、组分、形貌以及光电特性.结果表明,通过精确控制热蒸发蒸镀Ga膜料的时间,实现在CuInSe2(CIS)薄膜上掺杂Ga元素,制备的CIGS薄膜均呈黄铜矿结构,当Ga的原子数分数x(Ga)=3.96%～9.26%时,衍射峰较强,结晶度较高,其中x(Ga)=4.70%,N(Ga)/(N(Ga)+N(In))=0.16时,颗粒明显,大小均匀平整,对应最大晶粒尺寸约为61.01 nm,光学带隙为1.18 eV.
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- 关键词：太阳电池离子束热蒸发晶体结构光学性能电学性能
