- 新型自熄灭硅基雪崩光电探测器的研究
- 雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode，APD)因量子效率高，体积小，不受磁场影响，工作电压低，可在室温范围工作等众多优点，使其被大量用于量子密钥、时间相关计数、成像、雷达探测、通信等光电子技术领域。然...
- 陈树华
- 关键词：雪崩光电二极管粗糙度ICP刻蚀欧姆接触
- 偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种偏振波长可调谐垂直腔面发射激光器及其制备方法，采用半导体微纳加工方法制备有效折射率各向异性的亚波长光栅，将其刻蚀在可调谐垂直腔面发射激光器的谐振腔内，内腔亚波长光栅可以等效为一定厚度的负单轴晶体，利用“形...
- 关宝璐郭霞史国柱李硕王强周弘毅陈树华苏治平
- 文献传递
- 一种高增益雪崩二极管
- 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温...
- 郭霞关宝璐周弘毅郭帅陈树华
- Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量：2
- 2012年
- 采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻蚀机制和化学刻蚀机制的相对强度受到混合气体中Cl2和Ar比例的影响,硅刻蚀速率随着Ar组分的增加而降低,同时选择比也随之降低。硅刻蚀速率随着ICP功率的增大先增大继而减小,选择比则成上升趋势。硅刻蚀速率和选择比均随RF功率的增大单调增大。在Cl2/Ar混合气体的刻蚀过程中,离子辅助溅射是决定硅刻蚀效果的重要因素。同时,文中还研究分析了刻蚀工艺对于微槽效应和刻蚀侧壁形貌的影响,结果表明,通过提高ICP功率可以有效减小微槽和平滑侧壁。进一步研究了SiO2掩膜下,压强改变对于硅刻蚀形貌的影响,发现通过降低压强,可以明显地抑制杂草的产生。
- 郭帅周弘毅陈树华郭霞
- 关键词：感应耦合等离子体CL2/AR
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法
- 一种高反射低电压的倒装发光二极管及其制备方法属于光电子技术领域。倒装发光二极管从上到下依次包括：上电极、发光单元、金属反光层及金属扩散阻挡层、倒装样品面键合金属层、硅面键合金属层、Si衬底和下电极；其特征在于：发光单元与...
- 郭霞关宝璐李川川郝聪霞任秀娟李硕郭帅周弘毅史国柱周治平陈树华
- 文献传递
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
- 文献传递
- 硅片表面粗糙度对界面态的影响被引量：6
- 2013年
- 针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品。通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的红外透射率和更高的界面态密度。
- 陈树华武华周弘毅崔文凯马云飞郭霞
- 关键词：粗糙度界面态
- 一种高增益雪崩二极管
- 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温...
- 郭霞关宝璐周弘毅郭帅陈树华
- 文献传递
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法
- 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到...
- 关宝璐任秀娟郭霞李硕史国柱李川川郝聪霞郭帅周弘毅苏治平陈树华
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- 一种高增益雪崩二极管
- 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温...
- 郭霞关宝璐周弘毅郭帅陈树华
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