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冯曦

作品数:8 被引量:70H指数:5
供职机构:中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国防民口配套项目北京矿冶研究总院科研基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺冶金工程理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇冶金工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇热导率
  • 4篇
  • 3篇电子封装
  • 3篇液相烧结
  • 3篇粉末冶金
  • 3篇封装
  • 2篇电子封装材料
  • 2篇轻质
  • 2篇热膨胀
  • 2篇热膨胀系数
  • 2篇复合材料
  • 2篇
  • 2篇复合材
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基片
  • 1篇陶瓷金属化
  • 1篇热压
  • 1篇热压法

机构

  • 8篇中南大学
  • 3篇北京矿冶研究...
  • 1篇江西理工大学

作者

  • 8篇冯曦
  • 7篇李世晨
  • 5篇郑子樵
  • 4篇杨培勇
  • 3篇蔡杨
  • 3篇林锋
  • 2篇贾贤赏
  • 1篇任先京
  • 1篇杨迎新
  • 1篇周恒
  • 1篇李振铎

传媒

  • 2篇稀有金属
  • 1篇粉末冶金技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇矿冶
  • 1篇中南大学学报...
  • 1篇2005全国...
  • 1篇第九届材料科...

年份

  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究被引量:6
2006年
微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域。重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望。
林锋冯曦李世晨任先京贾贤赏
关键词:电子封装硅基复合材料
轻质Si-Al合金新型电子封装材料研究进展
微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求.在传统的封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型Si-Al复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为倍受关注的焦点.其高体积分数Si带来的低热膨胀系数能很好地与芯...
林锋冯曦任先京李世晨蔡阳
关键词:电子封装复合材料
文献传递
单层片式晶界层半导体陶瓷材料研究进展被引量:3
2006年
片式电子元件进入了全面发展的新时期,对元件微型化、轻型化、复合化、高频化和高性能化的要求越来越迫切,新型单层片式晶界层半导体陶瓷材料适时得到发展。本文对单层片式晶界层半导体陶瓷材料国内外研究、生产现状及发展进行了综述;对单层片式晶界层半导体陶瓷材料的制备工艺:介质陶瓷材料选择、半导体陶瓷基片材料的制备和半导体陶瓷基片材料的金属化进行了分析;展望了单层片式晶界层半导体陶瓷材料的应用和发展前景。
林锋李世晨冯曦贾贤赏李振铎周恒
关键词:陶瓷基片陶瓷金属化
压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响被引量:5
2005年
采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si 50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响。研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热阻急剧上升,导致热导率下降;高压制压力导致Si Al体系在945 ℃附近出现1个放热过程,这个放热过程对应于该温度下氧化铝薄膜的破裂以及随后Al与Si颗粒表层SiO2 的界面反应;诱发Al 和SiO2 反应的是高压制压力所造成的界面处储能,这使体系润湿性大幅度提高,改善了材料的热导性能。
冯曦杨迎新郑子樵李世晨杨培勇
关键词:液相烧结热导率
Si-Al电子封装材料粉末冶金制备工艺研究被引量:33
2004年
采用粉末冶金液相烧结工艺制备了Si 5 0 %Al(质量分数 )电子封装材料。研究了压制压力、烧结工艺对材料微观组织及性能的影响。结果发现 :低温烧结时 ,随压制压力增大 ,材料密度呈上升趋势 ,而高温烧结时 ,材料密度较高且变化不大 ;增大压制压力不仅提高了材料的致密度 ,而且改善了界面接触方式 ,在一定范围内使得材料热导率提高 ,但压制压力过大时 ,则会导致Si粉出现大量的微裂纹等缺陷 ,界面热阻急剧上升 ,从而降低热导性能 ;适当提高烧结温度和延长烧结时间可以提高材料的热导率。
杨培勇郑子樵蔡杨李世晨冯曦
关键词:液相烧结热导率
热压法制备Si-Al电子封装材料及其性能被引量:17
2005年
采用真空热压烧结方法 ,制备了性能优异的Si Al电子封装材料。其热导率高于 110W·m- 1 ·K- 1 ,热膨胀系数从 5~ 10 μm·K- 1 可调控 ,密度低于 2 .5g·cm- 3。真空热压方法通过外界压力来克服非润湿状态下的毛细阻力 ,达到硅颗粒均匀分布 ,铝相呈连续网络状包裹的理想复合形貌组织。在铝熔点以上温度点进行的液相烧结均满足封装性能要求 ,且热压时间短、压力低。实验结果表明 :热膨胀系数主要由硅含量确定 。
冯曦郑子樵李世晨杨培勇
关键词:电子封装热压热膨胀系数
轻质Si-Al电子封装材料制备工艺的研究被引量:21
2004年
探讨采用传统粉末冶金方法制备轻质、高性能Si 5 0 %Al(质量分数 ,下同 )电子封装材料的可能性。研究了粉末粒度组成、压制压力、烧结温度对材料室温导热性和室温到 2 0 0℃间热膨胀系数的影响。发现采用一定的粉末粒度组成 ,高压制压力、高温和适当的时间烧结能够获得综合性能较好的Si Al复合材料。
蔡杨郑子樵李世晨冯曦
关键词:粉末冶金热导率热膨胀系数
Si-Al电子封装材料粉末冶金制备工艺研究
采用粉末冶金液相烧结工艺制备了Si-50%Al(质量分数)电子封装材料。研究了压制压力、烧结工艺对材料微观组织及性能的影响。结果发现:低温烧结时,随压制压力增大,材料密度呈上升趋势,而高温烧结时,材料密度较高且变化不大;...
杨培勇郑子樵蔡杨李世晨冯曦
关键词:液相烧结热导率
文献传递
共1页<1>
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