您的位置： 专家智库 > >

刘斌

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇离子注入
  • 4篇改性
  • 3篇表面改性
  • 2篇电极
  • 2篇电极系统
  • 2篇阴极
  • 2篇阴极材料
  • 2篇阴极溅射
  • 2篇加速电压
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化铝
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体源
  • 1篇金属

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇刘斌
  • 4篇杨思泽
  • 2篇刘赤子
  • 1篇张谷令
  • 1篇范松华
  • 1篇杨武保
  • 1篇王久丽
  • 1篇刘元富

传媒

  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇第九届全国等...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇1999
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
离子束材料表面改性的研究
该论文的内容可归纳为两大类:1)金属等离子体源高子注入及薄膜沉积(MPSIID)技术;2)脉冲高能量密度等离子体(PHEDP)材料表面改性.在MPSIID技术方面,1)研制了一台金属等离子体离子源,并对其工作特性进行了系...
刘斌
关键词：氮化铝氮化硅
金属等离子体源离子注入及薄膜沉积
等离子体浸没离子注入和沉积（MepIII&D）技术是近几年发展起来的一种崭新的材料表面改性技术。该文报道一金属等离子体源离子注入及薄膜沉积系统（MPSIID），这一系统除具有MePIII&D的特点外，它还...
刘斌杨思泽
关键词：金属等离子体源
一种管状工件内表面改性的方法
本发明属于等离子体材料表面改性领域。本发明提出一种栅极增强内表面改性的方法,该方法由阴极、栅网电极及样品组成三电极系统,通过施加射频功率及脉冲负高压,来实现剂量的均匀性及均匀的离子注入;通过阴极溅射,将阴极材料的粒子引入...
刘斌杨思泽刘赤子
文献传递
管型材料离子注入内表面改性研究进展被引量：2
2003年
利用在管材中心引入同轴接地电极并在金属管材上加脉冲负偏压以产生径向离子加速电场,实现了金属管材内表面离子注入。目前国内外还有其它一些技术手段实现材料内表面改性,如脉冲放电爆炸金属箔注入、离子束溅射沉积、等离子体化学气相沉积法等。这些实验方法所遇到的主要问题是离子注入沿轴向不均勺、膜与基底结合不牢。在原实验方法基础上,又提出了一种新的方法——栅极增强等离子体源离子注入法。实验结果表明:此方法不但可以大大提高离子注入沿轴向的均匀性。
杨思泽张谷令王久丽刘斌范松华杨武保刘元富
关键词：改性
一种管状工件内表面改性的方法
本发明属于等离子体材料表面改性领域。本发明提出一种栅极增强内表面改性的方法，该方法由阴极、栅网电极及样品组成三电极系统，通过施加射频功率及脉冲负高压，来实现剂量的均匀性及均匀的离子注入；通过阴极溅射，将阴极材料的粒子引入...
刘斌杨思泽刘赤子
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0