您的位置： 专家智库 > >

孙亚宾

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇锗硅
  • 1篇锗硅异质结双...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇晶体管
  • 1篇剂量率
  • 1篇辐照效应

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇付军
  • 1篇刘志弘
  • 1篇周卫
  • 1篇王玉东
  • 1篇李高庆
  • 1篇许军
  • 1篇崔杰
  • 1篇孙亚宾
  • 1篇张伟

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究被引量：6
2013年
对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),在不同辐照剂量率下进行60Coγ射线的辐照效应与退火特性的研究.测量结果表明,两种辐照剂量率下,随着辐照总剂量增加,晶体管基极电流增大,共发射极电流放大倍数降低,且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关,低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重.在经过与低剂量率辐照等时的退火后,高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低,即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS).本文对相关的物理机理进行了探讨分析.
孙亚宾付军许军王玉东周卫张伟崔杰李高庆刘志弘
关键词：锗硅异质结双极晶体管辐照效应
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0