孙海涛
- 作品数：27 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于SMIC-28 nm低功耗高精度带隙基准的研究
- 2017年
- 基于SMIC 28nm工艺实现了一种用于Flash的低功耗高精度的带隙基准电路,在传统电压模结构上采用共源共栅结构提高了各支路偏置电流的精度和PSRR,设计过程中仿真了器件所有corner,温度范围-40~125℃和电源电压±10%的情况.300次Monte Carlo仿真输出电压平均值为1.196 42V,方差为5.011mV,温度系数为7×10-6/℃,总电流仅为264nA,电源电压为1.8V时,最恶劣corner总电流为343nA,低频1kHz电源抑制比为-78dB.该电路中设计了一款新的启动电路,该电路由带负反馈的三支路偏置电路和施密特触发器组成,极大地提高了电路的稳定性,芯片版图面积为105μm×110μm.
- 纪书江霍长兴孙海涛刘璟刘明
- 关键词：带隙基准低功耗低温漂启动电路
- 基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于钇铁石榴石的非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：上电极；下电极；以及形成于上电极与下电极之间的钇铁石榴石薄膜。该存储器有如下特点：在室温下，钇铁石榴石薄膜结构为多晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性...
- 闫小兵刘明龙世兵刘琦吕杭炳孙海涛
- 一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法
- 本发明公开了一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法，包括:衬底预备;腔体抽真空;通入工作气体与反应气体，调整其流量值;调整工作气压，打开电源，气体电离，开始反应;待系统稳定后，打开挡板，开始淀积;淀积一段时间后...
- 孙海涛刘明龙世兵吕杭炳刘琦刘宇张康玮路程杨洪璋
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- 非挥发性阻变存储器件及其制备方法
- 一种非挥发性阻变存储器，包括绝缘衬底、下电极、下石墨烯阻挡层、阻变功能层、上石墨烯阻挡层、上电极，其中，在外加电场的作用下，下和/或上石墨烯阻挡层能够阻止构成上、下电极的金属材料中金属离子/原子扩散进入阻变功能层。依照本...
- 瑞塔姆·白纳吉刘明刘琦吕杭炳孙海涛张康玮
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- 一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法
- 本发明公开了一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法，包括：衬底预备；在衬底上涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极；在形成惰性...
- 孙海涛刘琦吕杭炳龙世兵刘明
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- 一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法
- 本发明公开了一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法，包括：预备硅衬底；在表面形成有氧化硅的硅衬底上生长下电极金属；在下电极金属上旋涂一层光刻胶，热板烘烤，并采用掩膜对光刻胶进行曝光，然后显影，在光刻胶层形成通孔阵列，...
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- 超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
- 本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
- 孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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- 一种小间隙平面电极的制作方法
- 本发明公开了一种实现小间隙平面电极的版图设计方法，包括：设计第一版光刻版图图形及标记图形；设计第二版光刻版图图形及标记图形；调整第一版光刻版图图形和第二版光刻版图图形之间距离，形成一系列大小不同的间隙。利用本发明，通过光...
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- 超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
- 本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
- 孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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- 一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法
- 本发明公开了一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法，包括：选择器件；对选择的器件进行第一次电激励；以及对器件进行电学操作，获得电阻转变存储器多转变模式。利用本发明，通过选取基于金属导电细丝机制的电阻转变存储器件，...
- 孙海涛刘琦吕杭炳龙世兵刘明
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