崔继锋
- 作品数：5 被引量：13H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家攀登计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象被引量：2
- 2004年
- 本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1 -xGex 合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究。通过XPS和SIMS图谱的研究 ,指出表面由于锗的偏析 ,造成锗在体内和表面的含量不同 ,在低温时生长锗硅合金 ,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析 ,但随着温度的升高 。
- 吴贵斌崔继锋黄靖云叶志镇
- 关键词：锗硅合金X射线光电子谱
- 超高真空化学气相沉积装置
- 本实用新型的超高真空化学气相沉积装置包括生长室、预处理室和进样室，生长室中安装有衬底片托盘和加热器，其特征是所说的生长室呈球状，加热器为中间厚、边缘薄的圆形栅栏状石墨片，中间厚部分的直径为整圆直径的50～60％，厚度为边...
- 叶志镇赵炳辉吴贵斌黄靖云崔继锋
- 文献传递
- 高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究被引量：4
- 2005年
- 采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究 ,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析 ,并用HRXRD对其分析结果进行了验证。最后分析了热应变对Si1 xGex外延的影响。
- 崔继锋叶志镇吴贵斌赵炳辉
- 关键词：锗硅热应变
- UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层及其高频器件研制被引量：7
- 2004年
- 为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频器件的超薄外延层,该系统由气路部分、控制部分、主体部分组成,反应室本底真空可达5.0×10-8Pa,能够实现在超净环境下低温、低压外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度为0.1～0.5μm,掺杂浓度为1×1017cm3,过渡区非常窄,达到了制备高频器件的要求;并在此基础上制备出了高频肖特基二极管原型器件,由IV测试并经过计算,截止频率可达31GHz.
- 吴贵斌叶志镇崔继锋黄靖云张海燕赵炳辉卢焕明
- 关键词：超高真空化学气相沉积硅外延层亚微米高频肖特基二极管
- 硅基高频器件与SiGe外延技术
- 2004年
- 本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
- 崔继锋叶志镇
- 关键词：SIGE常压化学气相沉积分子束外延锗硅材料
