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巩海波
作品数:
11
被引量:5
H指数:1
供职机构:
山东大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
化学工程
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合作作者
郝霄鹏
山东大学物理学院晶体材料国家重...
徐现刚
山东大学物理学院晶体材料国家重...
吴拥中
山东大学物理学院晶体材料国家重...
夏伟
山东大学物理学院晶体材料国家重...
蒋民华
山东大学
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郝霄鹏
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巩海波
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2012
7篇
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1篇
2009
1篇
2008
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一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法,包括以下步骤:(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,衬底为GaAs材料;(2)在外延生长的P型接...
郝霄鹏
巩海波
夏伟
吴拥中
徐现刚
文献传递
一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法
本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法,包括以下步骤:(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层;(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层;(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀...
郝霄鹏
巩海波
吴拥中
夏伟
徐现刚
ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率
被引量:5
2010年
采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200~500 nm、腐蚀深度约200~400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。
巩海波
郝霄鹏
夏伟
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徐现刚
关键词:
表面粗化
干法刻蚀
发光二极管(LED)
一种利用交变电场制备纳米颗粒的方法
一种利用交变电场制备纳米颗粒的方法,属于纳米材料制备技术领域。步骤为:1)将原料分散于溶剂中;使制成的溶液处于两电极之间;在电极两端的加交流电,电压为5V-100V,频率为10Hz-1000Hz,时间为5min-1h;将...
郝霄鹏
高敞
吴拥中
巩海波
徐现刚
蒋民华
文献传递
作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法
本发明提供了一种作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球制备方法,包括:(1)按常规MOCVD生长LED外延片的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,形成外延片;(2)在外延片上按常规工艺制备...
郝霄鹏
刘晓燕
巩海波
吴拥中
徐现刚
利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法
本发明提供了一种利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法,包括以下步骤:(1)按常规外延生长外延片;(2)在外延生长的P型接触层上铺设一层由PS球紧密排布组成的单层膜;(3)以硅酸四乙酯、金属的氯化物或硝酸盐为前躯体...
郝霄鹏
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一种利用交变电场制备纳米颗粒的方法
一种利用交变电场制备纳米颗粒的方法,属于纳米材料制备技术领域。步骤为:1)将原料分散于溶剂中;2)使制成的溶液处于两电极之间;3)在电极两端的加交流电,电压为5V-100V,频率为10Hz-1000Hz,时间为5min-...
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一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法
本发明提供了一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法,包括以下步骤:(1)按常规利用金属有机化学气相沉积的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,衬底为GaAs材料;(2)在外延生长的P型接...
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一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法
本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法,包括以下步骤:(1)在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层;(2)在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层;(3)将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀...
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作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法
本发明提供了一种作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球制备方法,包括(1)按常规MOCVD生长LED外延片的方法在衬底上依次外延生长N型接触层、多量子阱有源区和P型接触层,形成外延片;(2)在外延片上按常规工艺制备P...
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