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张冬

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇柱形量子点
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇结合能
  • 2篇类氢杂质
  • 2篇XGA
  • 1篇电场
  • 1篇杂质态
  • 1篇流体静压力
  • 1篇内建电场
  • 1篇静压力
  • 1篇GAN

机构

  • 2篇内蒙古大学
  • 1篇内蒙古农业大...

作者

  • 2篇张冬
  • 1篇闫祖威

传媒

  • 1篇内蒙古大学学...

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
应变GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中杂质态的结合能被引量：2
2010年
在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂质位置的变化,讨论了应变对结合能的影响.数值计算表明,杂质态结合能随量子点半径的增大而减小,随量子点高度的增加将先增大到一极大值然后减小.当杂质位置在量子点中心时杂质态的结合能最大,且Al组分的增加使杂质态的结合能增大.研究还指出内建电场使得杂质态的结合能明显降低.
张冬闫祖威
关键词：量子点类氢杂质内建电场结合能
压力下应变GaN//Al/_xGa/_（1-x）N柱形量子点中杂质态结合能
在有效质量近似下,通过变分法研究了流体静压力下有限高应变GaN//AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态结合能. 首先,在有效质量近似下利用变分原理计算了不考虑应变时结合能随量子点高度、半径和杂质位置以及A1组...
张冬
关键词：量子点类氢杂质流体静压力结合能
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