戴振清
- 作品数：23 被引量：37H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目上海市青年科技启明星计划博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 实现氧化锌纳米线自组装的方法
- 一种纳米处理技术领域的实现氧化锌纳米线自组装的方法，通过将硅片表面依次进行羟基化和氨基化处理后，浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液，实现自组装。本发明简单、方便、高效，制备得到的氧化锌纳米线薄膜适宜...
- 张亚非戴振清魏良明徐东回兵
- 实现氧化锌纳米线自组装的方法
- 一种纳米处理技术领域的实现氧化锌纳米线自组装的方法，通过将硅片表面依次进行羟基化和氨基化处理后，浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液，实现自组装。本发明简单、方便、高效，制备得到的氧化锌纳米线薄膜适宜...
- 张亚非戴振清魏良明徐东回兵
- 文献传递
- SiC材料及SiC基MOS器件理论研究
- SiC以其优异的材料特性，在高温、大功率和抗辐射器件电子学应用方面显示出明显的优势。另外，在化合物半导体中唯有SiC存在本征氧化物SiO2，因此SiC基MOSFET的研究引起高度关注和极大兴趣。本文主要围绕SiC材料和S...
- 戴振清
- 关键词：MOS器件碳化硅材料能级分裂
- 文献传递
- ZnO纳米线薄膜晶体管和紫外光探测器研究
- 氧化锌(ZnO)纳米线是一种宽禁带半导体一维纳米材料，由于具有很大的激子束缚能、良好的光电特性、抗氧化、耐高温等特性，在制作场效应晶体管等光电子器件方面具有很大发展潜力。本文主要研究了:
(1)ZnO纳米线的操纵和...
- 戴振清
- 关键词：氧化锌纳米线薄膜晶体管紫外光探测器响应特性
- TiO_2薄膜制备及其氧敏特性被引量：8
- 2005年
- 采用直流磁控溅射法制备TiO2 薄膜 ,在不同温度下对薄膜进行退火 ,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况 .对TiO2 薄膜氧敏器件特性进行了测试 ,结果表明 ,在 4 0 0℃下灵敏度随氧分压增加最快 ,并且在 4 0 0℃具有最高的灵敏度 .得到的激活能为 0 4 1eV ,并对TiO2 薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论 .
- 戴振清孙以材潘国峰孟凡斌李国玉
- 关键词：磁控溅射TIO2薄膜氧敏特性激活能
- 基于BP网络的敏感电子器件二信息融合被引量：1
- 2004年
- 压力传感器的输出信号在实际应用中受多个非目标参量的影响,其中它对温度的敏感成为其最大的缺点。我们提出了利用BP网络的二敏感电子器件信息融合来消除温度对压力传感器输出信号的影响,提高其精度和可靠性。该方法利用BP网络的Levenberg-Marquardt算法实现数据融合,网络结构简单,学习速度快,具有很好的应用前景。
- 李国玉孙以材戴振清
- 关键词：BP网络压力传感器数据融合
- SiC中受主激发态对杂质电离的影响
- 2007年
- 对Al掺杂4H-SiC中激发态对杂质电离的促进作用,与温度和掺杂浓度的关系进行了系统研究。发现促进作用随掺杂浓度的提高而增强,并且温度越高,随掺杂浓度的增加提高得越迅速;促进作用随温度的变化存在一峰值,并且随掺杂浓度的提高,峰值位置逐渐向温度高的方向移动。研究了激发态数目与杂质电离关系,发现当温度或掺杂浓度很低时(T<200 K或NA<1.0×1014cm-3),无需考虑激发态对电离的影响;当温度很高时(>800 K),只需考虑较少的激发态(一般3个即可),而在其他情况则需考虑的激发态多一些。
- 戴振清杨克武杨瑞霞
- 关键词：4H-SICAL掺杂电离度激发态
- 用于电路模拟的4H-SiC MOSFET高温沟道电子迁移率模型
- 2007年
- 提出了适用于电路模拟的4H-SiCn-MOSFET高温沟道电子迁移率模型.在新模型中,引入了横向有效电场和表面粗糙散射的温度依赖性,电子饱和漂移速度与横向有效电场和温度的关系,以及改进的界面陷阱电荷和固定氧化物电荷库仑散射模型等因素.采用与温度-阈值电压实验曲线拟合的方法,确定了界面态参数和固定氧化物电荷.基于新迁移率模型的模拟结果与实验吻合.
- 戴振清杨瑞霞杨克武
- 关键词：4H-SICN-MOSFET阈值电压
- 基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法
- 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法，通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对，然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液，在电极对上施加...
- 张亚非戴振清徐东张丽英陈海燕
- 引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型
- 2007年
- 引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高.
- 戴振清杨瑞霞杨克武
- 关键词：激发态SICMOSFET
